隔离电平移位或接地隔离以实现抗噪性的高频应用
发布时间:2022/10/13 13:20:47 访问次数:134
AQM系列符合广泛的国际安规标准和EMI认证,包括EN/IEC60601-1、EN61000和EN55032。该产品还符合第4版医疗EMC要求,并提供2xMOPP保护。有了这套全面的安规标准,可有效的减少研发时间和风险以及安规审批成本。
焦耳定律电流通过导体时,做定向移动的自由电子频繁地与金属中的正离子相撞,碰撞后,自由电子就把一部分动能传递给与它们相撞的正离子,使得分子热运动加剧,内能增加,于是导体的温度就升高,并向周围传递热量。人们把电流通过导体发热的现象叫做电流的热效应。
电流的热效应是把电能转化为导体内能的表现.电炉,电熨斗,电暖气就是利用电流热效应的典型例子。

显然,电阻串联电路可以看作是一个分压电路,两个串联电阻上的电压分别为
U1=IRl
LJ2==ir∶R2
上例式子常称为分压公式,它确定了电阻串联电路外加电压U在各个电阻上的分配原则。
显然,每个电阻上的电压大小,决定于该电阻在总电阻中所占的比例,这个比值称为分压比。
电阻的并联
如果电路中有两个或更多个电阻连接在两个公共的节点之间,则这样的连接方式就称为
电阻的并联。各个并联中的电阻上承受着同一电压。是两个电阻并联的电路。
两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两个半桥配置的650 V、60 A GaN增强模式晶体管。HEY1011是一款隔离式栅极驱动器,专为驱动具有快速传播延迟和高峰值拉/灌能力的GaN FET进行了优化,适用于需要隔离、电平移位或接地隔离以实现抗噪性的高频应用。由于HEY1011驱动器不需要二次侧电源或自举组件,因此释放了宝贵的板空间,使设计更具成本效益。
为了帮助缓解栅漏电容电流的影响,GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了双极栅驱动装置。
该板可以执行双脉冲测试或将半桥连接到现有LC电源段。双脉冲测试可用于安全地评估硬开关条件下电源开关的特性。
GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板适合用于开发大功率无线充电器、工业逆变器、电机驱动/VFD、数据中心、住宅储能系统以及其他电力电子应用。
来源:21IC.如涉版权请联系删除。图片供参考
AQM系列符合广泛的国际安规标准和EMI认证,包括EN/IEC60601-1、EN61000和EN55032。该产品还符合第4版医疗EMC要求,并提供2xMOPP保护。有了这套全面的安规标准,可有效的减少研发时间和风险以及安规审批成本。
焦耳定律电流通过导体时,做定向移动的自由电子频繁地与金属中的正离子相撞,碰撞后,自由电子就把一部分动能传递给与它们相撞的正离子,使得分子热运动加剧,内能增加,于是导体的温度就升高,并向周围传递热量。人们把电流通过导体发热的现象叫做电流的热效应。
电流的热效应是把电能转化为导体内能的表现.电炉,电熨斗,电暖气就是利用电流热效应的典型例子。

显然,电阻串联电路可以看作是一个分压电路,两个串联电阻上的电压分别为
U1=IRl
LJ2==ir∶R2
上例式子常称为分压公式,它确定了电阻串联电路外加电压U在各个电阻上的分配原则。
显然,每个电阻上的电压大小,决定于该电阻在总电阻中所占的比例,这个比值称为分压比。
电阻的并联
如果电路中有两个或更多个电阻连接在两个公共的节点之间,则这样的连接方式就称为
电阻的并联。各个并联中的电阻上承受着同一电压。是两个电阻并联的电路。
两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两个半桥配置的650 V、60 A GaN增强模式晶体管。HEY1011是一款隔离式栅极驱动器,专为驱动具有快速传播延迟和高峰值拉/灌能力的GaN FET进行了优化,适用于需要隔离、电平移位或接地隔离以实现抗噪性的高频应用。由于HEY1011驱动器不需要二次侧电源或自举组件,因此释放了宝贵的板空间,使设计更具成本效益。
为了帮助缓解栅漏电容电流的影响,GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了双极栅驱动装置。
该板可以执行双脉冲测试或将半桥连接到现有LC电源段。双脉冲测试可用于安全地评估硬开关条件下电源开关的特性。
GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板适合用于开发大功率无线充电器、工业逆变器、电机驱动/VFD、数据中心、住宅储能系统以及其他电力电子应用。
来源:21IC.如涉版权请联系删除。图片供参考