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片上ADC和FIFO可被配置为激励和采样外部传感器

发布时间:2022/10/12 13:18:04 访问次数:87

高分辨率的RSSI(接收信号强度指示)、到达角(AoD)和出发角(AoD)形式的增强型定位技术。它具有长距离、高速(2Mbit/s)的PHY,支持多达10个同时联接。

RLS15将联接性和安全性结合起来,为互联工业应用提供理想的平台。包括PWM、PCM、I2C、SPI、GPIO、UART和RTC在内的外设支持进一步加强了这一点。直接支持RSL15用于超低功耗应用中的一个额外功能是智能感知(Smart Sense)电源模式。

这允许一些模拟和数字外设保持工作并获取数据,同时器件的其他部分处于更深的睡眠模式以省电。例如,片上ADC和FIFO可被配置为激励和采样外部传感器,只有在满足预定条件时才唤醒处理器内核。

ADPD188BI光学传感器提供了一个使用外部同步信号触发采样周期的选项。此外部采样同步信号可通过GPIO0引脚或GPIO1引脚提供。

此功能由寄存器0x4F的位[3:2]控制。使能时,所选输 入上的上升沿指明下一采样周期何时发生。触发后,在发生正常启动序列之前,会有一到两个内部采样时钟(32 kHz) 周期的延迟。此启动序列与正常采样定时器提供触发信号的情况相同。

由于在火花塞产生电弧之前,线圈二次侧相当于开路,能量储存在线圈磁芯中。

当检测到合适的时间点火,控制信号会变为低电平,使IGBT关断。一次侧电流快速关断,会在IGBT器件两端产生一个较高的电压尖峰。通常,点火IGBT内部栅极和集电极之间有一个钳位结构。钳位结构会将峰值电压限制在300V-600V之间以保护点火IGBT和线圈绝缘。

N-30m2系列是需要持续高性能的写入密集型工作负载应用的首选。

PCIe Gen3x4、NVMe 1.3和板载 DRAM可确保满足所需的性能,非常适合用于引导介质、数据记录和日志记录。作为我们性能最佳的工业级SSD,它还具有极高的耐用性、可靠性和数据完整性,即使在极端环境条件下也始终如一。

全新的SSD系列基于工业级3D TLC NAND,可承受-40℃至+85℃的温度。 PCIe 4通道接口遵循PCIe 3.1规范,提供高达3,500 MB/s的顺序读取和3,100MB/s的顺序写入速度。读取和写入随机访问分别超过475,000 IOPS和525,000 IOPS。


高分辨率的RSSI(接收信号强度指示)、到达角(AoD)和出发角(AoD)形式的增强型定位技术。它具有长距离、高速(2Mbit/s)的PHY,支持多达10个同时联接。

RLS15将联接性和安全性结合起来,为互联工业应用提供理想的平台。包括PWM、PCM、I2C、SPI、GPIO、UART和RTC在内的外设支持进一步加强了这一点。直接支持RSL15用于超低功耗应用中的一个额外功能是智能感知(Smart Sense)电源模式。

这允许一些模拟和数字外设保持工作并获取数据,同时器件的其他部分处于更深的睡眠模式以省电。例如,片上ADC和FIFO可被配置为激励和采样外部传感器,只有在满足预定条件时才唤醒处理器内核。

ADPD188BI光学传感器提供了一个使用外部同步信号触发采样周期的选项。此外部采样同步信号可通过GPIO0引脚或GPIO1引脚提供。

此功能由寄存器0x4F的位[3:2]控制。使能时,所选输 入上的上升沿指明下一采样周期何时发生。触发后,在发生正常启动序列之前,会有一到两个内部采样时钟(32 kHz) 周期的延迟。此启动序列与正常采样定时器提供触发信号的情况相同。

由于在火花塞产生电弧之前,线圈二次侧相当于开路,能量储存在线圈磁芯中。

当检测到合适的时间点火,控制信号会变为低电平,使IGBT关断。一次侧电流快速关断,会在IGBT器件两端产生一个较高的电压尖峰。通常,点火IGBT内部栅极和集电极之间有一个钳位结构。钳位结构会将峰值电压限制在300V-600V之间以保护点火IGBT和线圈绝缘。

N-30m2系列是需要持续高性能的写入密集型工作负载应用的首选。

PCIe Gen3x4、NVMe 1.3和板载 DRAM可确保满足所需的性能,非常适合用于引导介质、数据记录和日志记录。作为我们性能最佳的工业级SSD,它还具有极高的耐用性、可靠性和数据完整性,即使在极端环境条件下也始终如一。

全新的SSD系列基于工业级3D TLC NAND,可承受-40℃至+85℃的温度。 PCIe 4通道接口遵循PCIe 3.1规范,提供高达3,500 MB/s的顺序读取和3,100MB/s的顺序写入速度。读取和写入随机访问分别超过475,000 IOPS和525,000 IOPS。


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