开关过程中超过6V电压过冲器件不会劣化有助于提高电源电路可靠性
发布时间:2024/6/27 0:31:53 访问次数:23
耐压200V以下的GaN器件，相对于5V的栅极驱动电压，典型的栅源额定电压为6V，电压极窄仅1V的余量。超过额定电压会导致可靠性下降和破坏等问题，加上栅极驱动电压需要高精度控制，这一直是GaN器件普及的主要障碍。
这个新系列通过采用独创的结构，成功地将额定栅源电压从典型的6V提高到了业界领先的 8V。这扩大了器件工作期间的电压裕度，因此即使在开关过程中发生超过6V的电压过冲，器件也不会劣化，有助于提高电源电路的可靠性。
GNE10xxTB系列采用高度通用的封装，在可靠性和可安装性方面具有良好的记录，可提供出色的散热和大电流能力，便于安装过程中的处理。
PM-OLED有单色和全彩两种显示颜色可选，屏幕偏色程度低，均一性较好的同时，屏幕厚度在1.03mm-2.01mm间不等，有利于结构设计。并且产品不易受环境温度影响，具有品质稳定高、使用寿命长、防震动等优点，适用连接器的种类也很丰富。
除了在显示器行业，Futaba在航模领域的研发也有非常悠久的历史，市场保有量大，认可度高。基于此，Futaba将航模产品积累的成熟技术推广在产业伺服器上，使伺服器在可靠性、寿命、售后、客制化上都有长足的提升。
Futaba产业伺服器的驱动电压有4.8V-6.0V(NiMH 4S-5S)、6.0V-8.4V(LiFe 2S,LiPo 2S)、11.1V-14.8V(LiFe 4S,LiPo 3S)和24V四个系列;最大扭矩在1.7~110kgf•cm范围之间;空载速度在0.05~0.57秒/60°之间，可选择的范围更广。
矢量变频控制的扭矩大、扭矩输出平稳，噪音小、效率高。但是控制算法复杂、运算量较大，对MCU性能有一定要求。LM2594MX-5.0/NOPB
矢量变频器应用方案采用AT32F421系列超值型ARM® Cortex®-M4微控制器，M4内核可媲美M0价格，主频高达120MHz，最高可支持64KB闪存存储器(Flash)及16KB随机存取存储器(SRAM)，提供丰富接口与各种功能，可实现高性能、高精度的电机驱动控制。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
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Futaba产业伺服器的驱动电压有4.8V-6.0V(NiMH 4S-5S)、6.0V-8.4V(LiFe 2S,LiPo 2S)、11.1V-14.8V(LiFe 4S,LiPo 3S)和24V四个系列;最大扭矩在1.7~110kgf•cm范围之间;空载速度在0.05~0.57秒/60°之间，可选择的范围更广。
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