低功耗SDRAM和新的更宽配置的NAND闪存，作为多片式封装(MCP)产品的选择。

为了适应增加的应用功能和数据存储对存储器的要求，NAND闪存正在变得受欢迎，因为它的每位成本低，而新的低功耗SDRAM正在成为有丰富多彩特性的工作存储器的新解决方案，3G手机执行存储在NAND闪存的代码。

低功耗SDRAM的典型速度83MHz或更高，和NAND闪存组合，给手机存储器子系统提供了成本效率的高性能解决方案。能提供二，三或四种存储器容量上的半定制组合，以满足下一代有丰富多彩功能手机的要求。

它有100%的孔经，很宽的响应带宽，单色光模式的波长为1100nm。

AT71201 CCD传感器的主要特性为非常低的暗电流(MMP模式)和大的动态范围。CCD分成四个独立的区域，由四个时钟分别驱动，因此，传感器可用作12个传感器模式。

CDCU877 DDR-II PLL完全符合JEDEC DDR-II标准，可将一个差分时钟输入对分配给10个时钟输出差分对以及一个差分对反馈时钟输出差动对。该器件与SN74SSTU32864 DDR-II逻辑寄存器结合在一起，不仅提供总体芯片组解决方案而且还能加快为DDR-II内存模块选择部件的进程。

这些数据转换器由于内部集成了基准电压源和基准缓冲器,给设计者提供完整的解决方案。

基于SAR的结构以及高速管线，和Sigma-Delta结构相比，有无等待时间转换的优点，因此很适合用在复接或伺服控制应用。此外，这些器件的DC性能，特别是失调和失调漂移，优于目前其它的高速ADC。

X60008系列给系统设计者提供了下一代精密电压源，使之能用在要求极为稳定和高度精密的手提系统和工业系统。

X60008CIS8-50 和X60008DIS8-50使8引脚SOIC封装，1K量的单价分别为$4.55和$3.15。Xicor公司准备把基准电压源的性能提高到0.9000V ± 0.25mV，温度系数为1ppm/°C。

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