自动对准的金属铸模复制技术和零件缩减技术使用单个部件号
发布时间:2022/10/8 12:14:30 访问次数:92
800MBps数据速率的双倍数据速率-II (DDR-II)锁相环(PLL)CDCU877。该款高性能、低偏移以及低抖动的零延迟缓冲器可支持业界最高的频率，在对诸如PC、服务器、工作站及通信等应用中的高速DDR内存模块进行设计的过程中，设计人员能够获得更宽的时序富裕度。
SN74SSTU32864可采用25位1:1引脚配置，也可将其配置为14位1:2引脚配置，从而使用户能够相对于多个DIMM配置使用单个部件号。该器件采用输出边缘控制电路，能够最大限度地降低未终止线路的转换噪声，从而提高了信号的完整性。
此外，该器件还支持DDR-II低功耗，最大限度地降低了DIMM上SDRAM输入的转换噪声，不仅提高了信号的完整性而且还极大降低了系统功耗。
其特性包括有插入损耗1.5dB，串音最低为50dB，封装尺寸为2.5x6.4x0.55mm。
P1X4A CWDW复接器/分路器，由MLA和微型电介质多层滤波器组成，尺寸为7.2x14.5x4.7mm。其特性包括有典型插入损耗2dB，串音最低为30dB，主通道波长为1,510, 1,530, 1,550和1,570 nm，有效波长间隔为13nm。
这些手机对存储器的要求变得越来越复杂，因为在手机中增加了附加的特性和应用功能，如互联网浏览，文字信息，游戏和数字照相机功能。
例如，手机设计者通常采用NOR闪存来存储代码，而低功耗SRAM或快速成本效率的PSRAM用作工作存储器。
开发2到6个芯片的MCP，有NOR闪存，NAND闪存，SRAM，假SRAM(PSRAM)和低功耗SDRAM各种组合，以满足数码照相手机和丰富多彩特性的3G手机的复杂的存储器要求。更宽的x16 NAND单芯片闪存的总线宽度加倍，和x8 NAND闪存相比，降低了数据传输所需要的时间近50%。
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
800MBps数据速率的双倍数据速率-II (DDR-II)锁相环(PLL)CDCU877。该款高性能、低偏移以及低抖动的零延迟缓冲器可支持业界最高的频率，在对诸如PC、服务器、工作站及通信等应用中的高速DDR内存模块进行设计的过程中，设计人员能够获得更宽的时序富裕度。
SN74SSTU32864可采用25位1:1引脚配置，也可将其配置为14位1:2引脚配置，从而使用户能够相对于多个DIMM配置使用单个部件号。该器件采用输出边缘控制电路，能够最大限度地降低未终止线路的转换噪声，从而提高了信号的完整性。
此外，该器件还支持DDR-II低功耗，最大限度地降低了DIMM上SDRAM输入的转换噪声，不仅提高了信号的完整性而且还极大降低了系统功耗。
其特性包括有插入损耗1.5dB，串音最低为50dB，封装尺寸为2.5x6.4x0.55mm。
P1X4A CWDW复接器/分路器，由MLA和微型电介质多层滤波器组成，尺寸为7.2x14.5x4.7mm。其特性包括有典型插入损耗2dB，串音最低为30dB，主通道波长为1,510, 1,530, 1,550和1,570 nm，有效波长间隔为13nm。
这些手机对存储器的要求变得越来越复杂，因为在手机中增加了附加的特性和应用功能，如互联网浏览，文字信息，游戏和数字照相机功能。
例如，手机设计者通常采用NOR闪存来存储代码，而低功耗SRAM或快速成本效率的PSRAM用作工作存储器。
开发2到6个芯片的MCP，有NOR闪存，NAND闪存，SRAM，假SRAM(PSRAM)和低功耗SDRAM各种组合，以满足数码照相手机和丰富多彩特性的3G手机的复杂的存储器要求。更宽的x16 NAND单芯片闪存的总线宽度加倍，和x8 NAND闪存相比，降低了数据传输所需要的时间近50%。
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