256Mb x16 NAND闪存是3.3V单芯片器件，结构为264字X32页X2048区，有264字的寄存器，允许程序和读数据能在寄存器和存储器单元阵列之间传输，增量为+256字。

擦除是以8K字+256字X32页的单一区块来实现。它利用I/O引脚作为地址和数据的输入/输出以及指令的输入。x16闪存是BGA封装或和其它存储器产品封在一起的多片式封装（MCP）,以支持各种不同的应用。

NOR，SRAM，NAND和假SRAM组合的MCP，为移动电子设备提供灵活的存储器解决方案。MCP封装有更小的占位面积，重量更轻，特别能满足手机的需求。

输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器，包括有防止交叉传导逻辑，以消除短路情况。同一包装的六通道传输时延的匹配，保证了一致的高频运作。

过流功能能终止所有六个输出。而主控制器的漏极开路故障信号表明过流或欠压关断已出现。IR2136的封装有28引脚DIP，44引脚PLCC或28引脚SOIC三种。

由于不用光耦级，IR2175在整个工作状态保持高性能，从而增加可靠性。新器件采用PWM输出和升压电源，不用专用的二次电源，从而降低尺寸和元件数量。

新的IR2175有两种工业标准封装：SO-8和8引脚DIP。

SE2526A能代替RF前端所需的多达40个元器件，其封装尺寸仅为5.5x7.0x1.4mm，比同类型竞争产品要小50%。所以，SE2526A很适合于Wi-Fi系统，包括接入点，PCMCIA卡，PC卡，PDA和手机。

1/4砖形电源转换器，能输出功率400W，效率高达96%，功率密度高达800 W/in.3。它具有标准的1/4砖形转换器的出脚，在输出功率和功率密度方面都是最高的。

该器件的输入电压从42V到53V，开关频率为3.5MHz，输出电压为12V，波纹电压为95mV。对负载的瞬态响应小于1us，绝缘电压1500V。

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