4GB DDR SDRAM双列直插存储器模块(DIMM)，已经得到Intel公司注册认可。

工业标准4GB 184引脚PC1600和PC2100 DDR SDRAM DIMM是采用1Gb DDR266 SDRAM芯片MT46V128M8，MT64V256M4或MT46V64M16，封装在符合JEDEC标准的400密尔宽的64引脚TSOP封装，间距0.65mm。

芯片的工作电压为VDD=+2.5V±0.2V, VDDQ=+2.5V±0.2V，双向数据选通(DQS)发送/接收，内部管线式双数据速率(DDR)结构，每时钟周期有两个数据存取，差分时钟输入，在每个正CK缘指令进入，数据读时DQS边缘对准定位，数据写时中心对准定位，可编突发长度为2，4或8，有自动刷新和自我刷新模式等性能。

初级和次级绕组的物理分离会导致这种漏感。因此，空气中的磁场会导致漏感，因为铁芯中的磁场会耦合初级和次级绕组。因此，由漏感引起的尖峰会引起磁场辐射。

SEPIC(单端初级电感转换器)还解决了输入和输出电压重叠的问题。与反激电路类似，SEPIC在变压器初级和次级绕组之间连接一个电容器。该电容器在反激电流关闭期间为初级和次级绕组中的电流提供路径，并通过使初级和次级电流连续来改善反激电路。

ADN8820是第一个用于光发送器，收发器，收发机和EDFA和Raman放大器中激光泵控制的全集成单片连续波(CW)激光控制器。

新控制器由于采用其所有权的高速，高效率和低噪音开关模式输出级，能提供完全控制回路解决方案，从而改善了CW激光的精度。ADN8820是7x7mm LFCSP IC，简化元件数和成本。

ASDN2860是三通道非易失性的数字电位计，能提供有I2C接口的多通道电位计可能得到的最低的漂移。为用在发送和收发器的激光模块而设计，该IC的低漂移(30ppm/度C)允许更精确地控制回路。

来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考