外部变压器来处理隔离需要环境密封和EMI屏蔽的汽车应用
发布时间:2022/9/30 12:19:45 访问次数:102
512MB和1GB的闪存卡,SanDisk已推出1Gb单芯片NAND闪存芯片。两个2Gb的芯片封在单一的TSOP封装,便能生产出4Gb(512MB)的NAND元件。
2Gb芯片是采用SanDisk的多级单元(MLC)和0.13um NAND闪存技术,由Toshiba和SanDisk共同开发的。
新的1GB 单密度(SD)卡比前一代的产品多四倍。
512MB和1GB SanDisk SD卡采用MLC 1Gb NAND闪存芯片,MLC允许两位数据存储在一个存储器单元中,使存储容量加倍。
为了帮助工程师从设计中消除组件并降低解决方案尺寸和成本,我们公司的新型固态继电器将电源和信号传输集成在一个芯片上,具有足够的容量来支持下一代电动汽车、电网基础设施、工业机器人等等。这些芯片的显着集成度仅能占用传统隔离元件所需空间的十分之一。
如果没有集成,我们需要一个外部变压器来处理隔离,这些部件会增加设计的体积和复杂性,当一切都是独立的时,它会增加可靠性。
有多种形状和厚度可满足任何设计需求。根据形状和FoF材料,垫片的压缩率可以从30%到高达75%;从而适应系统的公差。
有多种外壳材料和操作环境,因此材料兼容性对于可靠性至关重要。有多种材料可用于为应用设计解决方案。可以设计定制尺寸和形状以满足应用要求,以及特殊用途的压敏粘合剂和其他功能。
导电弹性体非常适合需要环境密封和EMI屏蔽的汽车应用。化合物可以模制或挤压形状、片材和定制挤压或模切形状提供,以满足各种应用。导电弹性体在10GHz时提供高达120dB的屏蔽效果。导电型材提供多种型材选择,以适应各种应用。
来源:eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
512MB和1GB的闪存卡,SanDisk已推出1Gb单芯片NAND闪存芯片。两个2Gb的芯片封在单一的TSOP封装,便能生产出4Gb(512MB)的NAND元件。
2Gb芯片是采用SanDisk的多级单元(MLC)和0.13um NAND闪存技术,由Toshiba和SanDisk共同开发的。
新的1GB 单密度(SD)卡比前一代的产品多四倍。
512MB和1GB SanDisk SD卡采用MLC 1Gb NAND闪存芯片,MLC允许两位数据存储在一个存储器单元中,使存储容量加倍。
为了帮助工程师从设计中消除组件并降低解决方案尺寸和成本,我们公司的新型固态继电器将电源和信号传输集成在一个芯片上,具有足够的容量来支持下一代电动汽车、电网基础设施、工业机器人等等。这些芯片的显着集成度仅能占用传统隔离元件所需空间的十分之一。
如果没有集成,我们需要一个外部变压器来处理隔离,这些部件会增加设计的体积和复杂性,当一切都是独立的时,它会增加可靠性。
有多种形状和厚度可满足任何设计需求。根据形状和FoF材料,垫片的压缩率可以从30%到高达75%;从而适应系统的公差。
有多种外壳材料和操作环境,因此材料兼容性对于可靠性至关重要。有多种材料可用于为应用设计解决方案。可以设计定制尺寸和形状以满足应用要求,以及特殊用途的压敏粘合剂和其他功能。
导电弹性体非常适合需要环境密封和EMI屏蔽的汽车应用。化合物可以模制或挤压形状、片材和定制挤压或模切形状提供,以满足各种应用。导电弹性体在10GHz时提供高达120dB的屏蔽效果。导电型材提供多种型材选择,以适应各种应用。
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