8位模式每通道1.2us或10位模式每通道2.4us那样快产生
发布时间:2022/9/29 21:56:20 访问次数:45
WARP2 600V 50A，35A和20A不穿通(NPT)的IGBT，改善了通信和服务器系统中大电流高频开关电源(SMPS)的关断性能。新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/价比提供性能和效率。
WARP2 IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起，和早期的在功率MOSFET集成的体二极管相比，有更好的性能。新器件的封装有两种：TO-247和TO-220。
新型SMPS NPT IGBT在TO-247封装能处理50A的电流，比同样封装的IR公司的600V MOSFET多25%的电流容量。在TO-220封装，能处理20A电流，比IR的 600V MOSFET能处理多18%的电流。
但当交流火线电压首先加在转换器时，对滤波电容充电的电流是如此之大，能烧断转换器中的保险丝，使主电路断路。这种浪涌电流可用大大超过指标的保护电路来解决，但这不是成本效率的。
STIL器件的优点包括低功耗的Ipt为20mA，在结温为150度有大于500V/μs的高免疫性(dV/dt)。该器件还有低的反向电流损耗和功率开关的驱动器。
STIL作为AC整流桥设计的部件，它结合了二极管和SCR，形成半控制整流桥(HCRB)。这种电路使用较高的效率和集成度来限制浪涌电流成为可能。
MPC7447处理器的性能和特性和MPC7457一样，但不支持L3高速缓存。MPC7447是360针CBGA封装，占位面积和MPC7445兼容。
图像能以8位模式每通道1.2us或10位模式每通道2.4us那样快产生，取样速率为416kHz，RMS噪音小于1位数。光谱响应范围从350到1150nm，峰值灵敏度高达40V/nJ。芯片在单一硅片的下一代网络处理器PayloadPlus APP540，该器件使未来几年的产品开发成本，服务收入能力和通信网络可靠性等几方面都有革命性的改进。Agere的APP540芯片能降低产品开发成本至少50%。
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
WARP2 600V 50A，35A和20A不穿通(NPT)的IGBT，改善了通信和服务器系统中大电流高频开关电源(SMPS)的关断性能。新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/价比提供性能和效率。
WARP2 IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起，和早期的在功率MOSFET集成的体二极管相比，有更好的性能。新器件的封装有两种：TO-247和TO-220。
新型SMPS NPT IGBT在TO-247封装能处理50A的电流，比同样封装的IR公司的600V MOSFET多25%的电流容量。在TO-220封装，能处理20A电流，比IR的 600V MOSFET能处理多18%的电流。
但当交流火线电压首先加在转换器时，对滤波电容充电的电流是如此之大，能烧断转换器中的保险丝，使主电路断路。这种浪涌电流可用大大超过指标的保护电路来解决，但这不是成本效率的。
STIL器件的优点包括低功耗的Ipt为20mA，在结温为150度有大于500V/μs的高免疫性(dV/dt)。该器件还有低的反向电流损耗和功率开关的驱动器。
STIL作为AC整流桥设计的部件，它结合了二极管和SCR，形成半控制整流桥(HCRB)。这种电路使用较高的效率和集成度来限制浪涌电流成为可能。
MPC7447处理器的性能和特性和MPC7457一样，但不支持L3高速缓存。MPC7447是360针CBGA封装，占位面积和MPC7445兼容。
图像能以8位模式每通道1.2us或10位模式每通道2.4us那样快产生，取样速率为416kHz，RMS噪音小于1位数。光谱响应范围从350到1150nm，峰值灵敏度高达40V/nJ。芯片在单一硅片的下一代网络处理器PayloadPlus APP540，该器件使未来几年的产品开发成本，服务收入能力和通信网络可靠性等几方面都有革命性的改进。Agere的APP540芯片能降低产品开发成本至少50%。
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