芯片中的内置电压钳位使每个能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量
发布时间:2022/9/28 8:14:20 访问次数:305
8位移位寄存器STPIC6C595,有100mA驱动能力的低边DMOS输出晶体管,能驱动LED,继电器和螺线管。STPIC6C595的导通电阻RDS(0n)为4欧姆,对感性负载能经受33V的尖峰输出电压。
STPIC6C595的逻辑部分有8位串行进并行出的移位寄存器,连接着8位D型存储寄存器。
在25oC的外壳温度,输出电流限制在250mA.为了进一步保护,温度较高时,最大允许电流会减小。芯片中的内置电压钳位使每个能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量。STPIC6C595也能经受住高达1.5KV(人体模拟)和200V(机器模拟)的ESD尖峰电压。
STPIC6C595功率-逻辑8位移位寄存器额定工作温度为-40度到+125度,有SO-16和TSSOP-16两种封装。
M41T0和M41T80集成了一个工业标准的400kHz I2C 串行接口,工作温度在-40度到+85度的工业温度范围内,封装采用节省空间的表面组装封装,电源电压从2V到5.5V,电流量极小。
特别是,M41T0在待机时仅耗电900nA,在工作时仅35uA(均是在3.0V时的典型值)。M41T80在待机时仅耗电1.5uA(在3.0V时的典型值) ,在工作时仅30uA(在3.0V时的最大值)。
除计时功能外,M41T0还有一个可以检测振荡器何时开始下降的振荡器停止位。
高速超小型大功率晶体管系列SA2071/2072和2SC5824/5825,它的速度比以前同样封装的提高了两倍。此外,新晶体管由于放电电压提高了五倍,安全工作范围(SOA)大大提高了。
新型晶体管是微型MPT3和CPT3封装,额定指标为电压60V和电流3A。很适合用在汽车电子,光学存储,DC/DC转换器和开关电源。小型晶体管也特别适合用在手提设备,增加开关频率能大大改善功率转换的效率,有助延长电池寿命。
所有器件的上升时间和下降时间分别是30ns 和20ns。所有器件能工作在高达150°C,MPT3的耗散功率为500mW,CPT3则为1.0W。
8位移位寄存器STPIC6C595,有100mA驱动能力的低边DMOS输出晶体管,能驱动LED,继电器和螺线管。STPIC6C595的导通电阻RDS(0n)为4欧姆,对感性负载能经受33V的尖峰输出电压。
STPIC6C595的逻辑部分有8位串行进并行出的移位寄存器,连接着8位D型存储寄存器。
在25oC的外壳温度,输出电流限制在250mA.为了进一步保护,温度较高时,最大允许电流会减小。芯片中的内置电压钳位使每个能吸收30mJ(毫焦耳)的雪崩能量。STPIC6C595也能经受住高达1.5KV(人体模拟)和200V(机器模拟)的ESD尖峰电压。
STPIC6C595功率-逻辑8位移位寄存器额定工作温度为-40度到+125度,有SO-16和TSSOP-16两种封装。
M41T0和M41T80集成了一个工业标准的400kHz I2C 串行接口,工作温度在-40度到+85度的工业温度范围内,封装采用节省空间的表面组装封装,电源电压从2V到5.5V,电流量极小。
特别是,M41T0在待机时仅耗电900nA,在工作时仅35uA(均是在3.0V时的典型值)。M41T80在待机时仅耗电1.5uA(在3.0V时的典型值) ,在工作时仅30uA(在3.0V时的最大值)。
除计时功能外,M41T0还有一个可以检测振荡器何时开始下降的振荡器停止位。
高速超小型大功率晶体管系列SA2071/2072和2SC5824/5825,它的速度比以前同样封装的提高了两倍。此外,新晶体管由于放电电压提高了五倍,安全工作范围(SOA)大大提高了。
新型晶体管是微型MPT3和CPT3封装,额定指标为电压60V和电流3A。很适合用在汽车电子,光学存储,DC/DC转换器和开关电源。小型晶体管也特别适合用在手提设备,增加开关频率能大大改善功率转换的效率,有助延长电池寿命。
所有器件的上升时间和下降时间分别是30ns 和20ns。所有器件能工作在高达150°C,MPT3的耗散功率为500mW,CPT3则为1.0W。