超低功耗的基于MCU的片上信号链(SCoC)MSP430F169，它有一个8通道200KSPS 的12位ADC，两个12位DAC和一个可编程的直接存储器存取控制器(DMA)，非常适合用在功率，空间和成本都敏感的地方。

集成了在3通道DMA控制下的12位ADC和两个12位DAC，设计者能完全实现低功耗应用如从激光器泵和热电冷却器到遥控网络可读仪表的完整的闭环回路。

DMA由于不通过CPU能提供熟练的和可配置的数据传输，因此扩展了基于MCU的信号处理能力。DMA传输触发源，对CPU完全是透明的，允许内部和外部硬件精确的传输控制。DMA消除了数据传输到片上DAC和其它外设的时延，16位RISC CPU不用花时间去处理数据，而直接处理任务。片上DAC和DMA一起，和采用外部DAC和软件的相比，可得到的模拟输出频率要提高10倍。

FS8S0765RC集成了一个具有抗雪崩能力的SenseFET(最小额定击穿电压为650V)，带有初级稳压功能的电流模式PWM IC。这个独特组合能将外部组件减至最少，简化设计并降低目标应用的成本。该器件在待机模式下(低于2W@265Vac)可进入间歇工作模式，并通过减小开关损耗，大幅度降低功耗。

FS8S0765RC电源开关还拥有集成的固定频率振荡器、低电压锁住、优化的前沿屏蔽功能和栅极开/关驱动电路，以及用于环路补偿和故障保护电路的具有精确的温度补偿的电流源。其内部电流感应高电压SenseFET提供650V最小击穿额定电压。FS8S0765RC采用节省空间的TO-220-5L封装。

NTLTD7900是9A不是20V器件，设计用在一元和两元锂离子电池盒的保护电路。它的封装是3.3x3.3mm Micro-8LL无引脚封装，和其它的TSSOP-8封装的同类产品相比，降低它在板的占位面积达48%。

NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)为26耗欧姆，最小化功率消耗，所以延长电池的寿命。它的热阻降低到82度/W，而TSSOP-8为88度/W。所以，虽然Micro-8LL封装更小，但是不影响性能。齐纳二极管保护栅使静电放电(ESD)保护超过工业上的要求。栅二极管集成到FET，电路中不用另接分立的背对背齐纳二极管。