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C166S V2内核扩展功能和性能和强有力片上外设子系统和闪存

发布时间:2022/9/23 1:01:37 访问次数:213

微控制器XC167CI-16F40F和XC164CS-8F40F,优化了工业驱动和控制系统中的性能和总成本之间的平衡问题。两种高集成的微控制器支持Infineon公司的嵌入式闪存程序存储器和成本效率的马达和传输控制,高性能电力马达驱动,机器人以及工业网络等应用所需的专用外设。

16位C166S V2 微控制器系列产品的新成员,把C166S V2内核的扩展功能和性能和强有力的片上外设子系统和片上闪存结合在一起。C167CI-16F40F的结构对高指令吞吐量和对外部中断的最小响应时间进行优化。集成了智能的外设系统降低了CPU的干扰。

结构的灵活性支持不同领域比如汽车电子,工业控制和数据通信的应用要求。


系列中的每一器件都包含一个片上600 MHz振荡器,以允许通过外部电阻接地来进行频率和幅度控制。通过向外部电阻施加一个无范围限制的电压,用户能精确而独立地设置每一个放大器跨导,从而保证了大范围电压DAC的兼容性。

此外,系列中的每个器件都设置了一个不能功能,以实现加电保护和节约功耗。EL622XC系列能以高达52X速度符合CD-R and CD-R/W写策略光盘格式的业界标准的Orange规范。

这个系列中的MOSFET成功通过了国际上认可的AEC Q101规范的认证。该公司的Power Trend技术能在每个封装中提供业界最低的导通电阻RDS(on)。

由于有很低的栅极电荷,这些中等电压器件特别适合于大电流应用,特别是在许多新型汽车电子应用中,几种器件必须要并联以得到很低的总的开关电阻。因为Power Trend MOSFET的低栅极电荷,所需要的驱动电流能降低,从而减小了驱动电路的体积。例如,FDB035AN06A0的总栅极电荷为12nC和超低的RDS(on)(TO-263室温下最大值为3.5毫欧姆)。

设备端的芯片提供诸如设备ID号和所需的电压电流的信息,还包含有制造厂家的目录数据或其它需要的数据。带有功率管理功能的垫子,能展开成任何大小或任何形状的平面,从全球的电源系统考虑,该系统能真正解放手提设备。

微控制器XC167CI-16F40F和XC164CS-8F40F,优化了工业驱动和控制系统中的性能和总成本之间的平衡问题。两种高集成的微控制器支持Infineon公司的嵌入式闪存程序存储器和成本效率的马达和传输控制,高性能电力马达驱动,机器人以及工业网络等应用所需的专用外设。

16位C166S V2 微控制器系列产品的新成员,把C166S V2内核的扩展功能和性能和强有力的片上外设子系统和片上闪存结合在一起。C167CI-16F40F的结构对高指令吞吐量和对外部中断的最小响应时间进行优化。集成了智能的外设系统降低了CPU的干扰。

结构的灵活性支持不同领域比如汽车电子,工业控制和数据通信的应用要求。


系列中的每一器件都包含一个片上600 MHz振荡器,以允许通过外部电阻接地来进行频率和幅度控制。通过向外部电阻施加一个无范围限制的电压,用户能精确而独立地设置每一个放大器跨导,从而保证了大范围电压DAC的兼容性。

此外,系列中的每个器件都设置了一个不能功能,以实现加电保护和节约功耗。EL622XC系列能以高达52X速度符合CD-R and CD-R/W写策略光盘格式的业界标准的Orange规范。

这个系列中的MOSFET成功通过了国际上认可的AEC Q101规范的认证。该公司的Power Trend技术能在每个封装中提供业界最低的导通电阻RDS(on)。

由于有很低的栅极电荷,这些中等电压器件特别适合于大电流应用,特别是在许多新型汽车电子应用中,几种器件必须要并联以得到很低的总的开关电阻。因为Power Trend MOSFET的低栅极电荷,所需要的驱动电流能降低,从而减小了驱动电路的体积。例如,FDB035AN06A0的总栅极电荷为12nC和超低的RDS(on)(TO-263室温下最大值为3.5毫欧姆)。

设备端的芯片提供诸如设备ID号和所需的电压电流的信息,还包含有制造厂家的目录数据或其它需要的数据。带有功率管理功能的垫子,能展开成任何大小或任何形状的平面,从全球的电源系统考虑,该系统能真正解放手提设备。

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