亚微米沟宽可减少栅-漏电容降低栅电荷从而提高开关速度
发布时间:2022/9/18 16:08:15 访问次数:109
多速率CMOS收发器和时钟恢复系列产品,采用业界最有活力的组合,可使网络OEM为它们的设计选择最佳解决方案而不会因为降低成本而牺牲性能。
SONET/SDH的基本速率要求从STS-3/STM-1到STS-48/STM-16,和支持1x 和2x光纤通道和以太网,快速以太网和FDDI数据速率的互补。
器件工作在2.5V电源,有很低的功耗:CDR为40mW,收发器为700mW.所有的器件都超过SONET抖动产生,误差和传输指标很大一部分,证明在电源和温度范围内是稳定的。
在无线接入点方面,无线LAN芯片组所提供的带宽是目前基于802.11b解决方案的5倍,而且加速处理IPSec 算法的需求也在不断地增长。这促使IDT增强PCI接口,以便更有效地从基于PCI的外部设备传输大量的数据。
IDT提供多种集成通信处理器以及基于MIPS ISA的开发工具,其合作伙伴可为IDT的集成通信处理器系列在以太网交换机平台、ADSL调制解调器、路由器和集成接入器件方面的应用,提供互补的先进硬件和软件技术。
亚微米工艺,可大大改进性能和优化器件,以满足汽车动力应用的严格要求。该器件可用于所有30、40、55、75和100V普通的汽车击穿电压等级,并且符合汽车分立半导体产品的汽车电子标准AEC Q101。
目前TO220器件的导通电阻值最低为2.3mOhm,最大为2.7mOhm。亚微米沟宽可减少栅-漏电容,降低栅电荷,从而提高开关速度。对于高电流应用越来越重要的耐用性,也得到大大改进。包括DPAK器件,其电阻值低至7mOhm。
多速率CMOS收发器和时钟恢复系列产品,采用业界最有活力的组合,可使网络OEM为它们的设计选择最佳解决方案而不会因为降低成本而牺牲性能。
SONET/SDH的基本速率要求从STS-3/STM-1到STS-48/STM-16,和支持1x 和2x光纤通道和以太网,快速以太网和FDDI数据速率的互补。
器件工作在2.5V电源,有很低的功耗:CDR为40mW,收发器为700mW.所有的器件都超过SONET抖动产生,误差和传输指标很大一部分,证明在电源和温度范围内是稳定的。
在无线接入点方面,无线LAN芯片组所提供的带宽是目前基于802.11b解决方案的5倍,而且加速处理IPSec 算法的需求也在不断地增长。这促使IDT增强PCI接口,以便更有效地从基于PCI的外部设备传输大量的数据。
IDT提供多种集成通信处理器以及基于MIPS ISA的开发工具,其合作伙伴可为IDT的集成通信处理器系列在以太网交换机平台、ADSL调制解调器、路由器和集成接入器件方面的应用,提供互补的先进硬件和软件技术。
亚微米工艺,可大大改进性能和优化器件,以满足汽车动力应用的严格要求。该器件可用于所有30、40、55、75和100V普通的汽车击穿电压等级,并且符合汽车分立半导体产品的汽车电子标准AEC Q101。
目前TO220器件的导通电阻值最低为2.3mOhm,最大为2.7mOhm。亚微米沟宽可减少栅-漏电容,降低栅电荷,从而提高开关速度。对于高电流应用越来越重要的耐用性,也得到大大改进。包括DPAK器件,其电阻值低至7mOhm。