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电容和漏电流可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响

发布时间:2022/9/7 23:52:19 访问次数:68

小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT5比SOT封装解决方案节省空间,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。

日前发布的器件典型负载电容仅为0.37 pF,适用于USB 2.0、USB 3.0以及HDMI端口保护等商业应用。对于汽车应用,VBUS05M2-HT5还提供AEC-Q101认证版器件。

器件潮湿敏感度(MSL)达到J-STD-020标准1级,耐火等级达到UL 94 V-0。保护二极管符合RoHS和 Vishay绿色标准,无卤素,支持汽车系统自动光学检测(AOI)。

GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战,其具备宽的能带隙,拥有极高的临界击穿电场;具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性,以及优异的功率密度。将碳化硅(SiC)作为 GaN 的衬底,能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配,以及出色的热导率,进而充分发挥 GaN 的特性。

单片微波集成电路(MMIC)能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中,进而提高电路密度。MMIC采用方形扁平无引脚(QFN)封装,能够带来进一步降低成本和减小尺寸的优势。由于 QFN 封装采用短键合引线,有助于降低引线电感,其暴露在外的铜裸芯片焊盘提供出色的热学性能。

新产品通过优化内置FRD(Fast Recovery Diode,快速恢复二极管)的软恢复性能和内置IGBT,与普通产品相比,辐射噪声降低6dB以上(峰值比较时),这使得削减以往所需的噪声滤波器成为可能。

此外,还配备了已实现更低损耗的最新IGBT元件,与ROHM以往产品相比,新产品的功率损耗降低了6%(fc=15kHz时),已达到业界超高水平,有助于降低各种应用设备的功耗。

并且,该系列产品还显著改善了温度监控功能,实现了±2%(相当于2℃)的高精度,这使得削减以往高精度温度监控器所需的外置热敏电阻数量同样成为可能,有助于减少元器件数量和设计工时。不仅如此,此次的新产品还新增了安装在电路板上之后的产品识别功能,有助于防止误装。


小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT5比SOT封装解决方案节省空间,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。

日前发布的器件典型负载电容仅为0.37 pF,适用于USB 2.0、USB 3.0以及HDMI端口保护等商业应用。对于汽车应用,VBUS05M2-HT5还提供AEC-Q101认证版器件。

器件潮湿敏感度(MSL)达到J-STD-020标准1级,耐火等级达到UL 94 V-0。保护二极管符合RoHS和 Vishay绿色标准,无卤素,支持汽车系统自动光学检测(AOI)。

GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战,其具备宽的能带隙,拥有极高的临界击穿电场;具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性,以及优异的功率密度。将碳化硅(SiC)作为 GaN 的衬底,能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配,以及出色的热导率,进而充分发挥 GaN 的特性。

单片微波集成电路(MMIC)能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中,进而提高电路密度。MMIC采用方形扁平无引脚(QFN)封装,能够带来进一步降低成本和减小尺寸的优势。由于 QFN 封装采用短键合引线,有助于降低引线电感,其暴露在外的铜裸芯片焊盘提供出色的热学性能。

新产品通过优化内置FRD(Fast Recovery Diode,快速恢复二极管)的软恢复性能和内置IGBT,与普通产品相比,辐射噪声降低6dB以上(峰值比较时),这使得削减以往所需的噪声滤波器成为可能。

此外,还配备了已实现更低损耗的最新IGBT元件,与ROHM以往产品相比,新产品的功率损耗降低了6%(fc=15kHz时),已达到业界超高水平,有助于降低各种应用设备的功耗。

并且,该系列产品还显著改善了温度监控功能,实现了±2%(相当于2℃)的高精度,这使得削减以往高精度温度监控器所需的外置热敏电阻数量同样成为可能,有助于减少元器件数量和设计工时。不仅如此,此次的新产品还新增了安装在电路板上之后的产品识别功能,有助于防止误装。


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