双向开关，它采用一个能够实现双向电压控制和双向电流流动的单一器件来取代两个FET或两个IGBT+两个二极管的方法。FQS使用两个栅极来阻断任何极性的电压或通过任何方向的电流。而且，作为单一器件，FQS能减少实现预期效果所需的部件数量，从而实现更高的功率密度，提高可靠性，并降低整体系统成本。

氮化镓的双向开关距离商业化量产越来越近，非常令人激动。电力电子工程师们一直焦急地期待着MOS栅极双向开关产品上市，因为它们是实现具有广阔前景的电源转换器拓扑结构的关键器件，可以在提高许多应用的效率、功率密度和容错能力方面带来令人振奋的机会。

它们还有望极大提高多种新型产品的商业可行性，包括固态断路器和集成电机驱动器，与目前使用的硅基开关相比，FQS可使这些产品更加紧凑和高效。

此项目预计将在一年内完成。Transphorm的标准横向氮化镓场效应管(FET)器件本身即可提供双向电流。然而，某些应用（如电机驱动的电流源逆变器、变频器和矩阵转换器）还需要双向电压控制，以有效管理电力系统的功率流。

两个输入端的电位相等，这样可以将两个输入端看作短接在一起，但事实上并没有短接，称为“虚短”。虚短的必要条件是运放引入深度负反馈。

由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在10V～14V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。

Inpria的PR是一种基于金属氧化物的无机材料。现有的有机PR是通过化学物质与光发生反应来雕刻图案，而无机PR是锡系金属颗粒与光接触形成电路。在一个简单的比较中，液体和固体本质上更坚硬。

因此，无机PR的光吸收率是有机PR的4 倍。如果光吸收好，则有利于雕刻微电路图案。因此，被评价为适用于下一代曝光技术EUV。