十款专为通信及视频产品市场上的高频应用方案而设计的崭新高速LMH放大器，使这一系列受欢迎的产品阵容更为鼎盛。由于美国国家半导体拥有丰富的模拟芯片设计经验、独特的VIP10工艺技术、稳定可靠的生产能力以及价格/性能上的优势，因此该公司可以成功推出这十款具有超低失真率及广阔带宽的崭新放大器。

这些新产品推出之后，将可大大加强美国国家半导体在这方面的实力，使我们可以为各种电子消费产品提供具备更高带宽及更低失真率等先进功能的高性能放大器。由于这系列LMH产品采用美国国家半导体的先进生产技术及VIP10工艺技术制造，因此价格及性能都极具竞争优势。

作为原边MOSFET时，IRF1312能用于高达60V最大输入电压，因此最适用于36V至60V及48V稳压输入母线隔离式直流-直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类75V MOSFET相比，其80V额定电压提供额外6% 的防护带，使设计更加坚固耐用。

很多用于原边应用的设计需要器件额定值降低至75%。现有的额定电压75V MOSFET在此要求下，只能支持输入电压最大为56V的系统。全新IRF1312 80V MOSFET可实现高达60V应用时的减额要求，因此能为36V至60V总线应用确保高可靠性，迎合电信及数据通信系统的要求。

另外，该款芯片能够为MAX1801（SOT23封装）从机控制器提供一路振荡信号和基准，获得一路低成本的扩展电源，这路扩展电源支持升压、SEPIC和降压转换。MAX1565采用微型32引脚QFN封装。

NB100LVEP91单个器件可用作多个转换器，降低了时钟和数据管理的设计复杂性。该器件可同时转换三个不同接口标准的独立信号，并驱动电路或底板。为确保电路设计的稳定，利用其对ECL出众的歪曲率和抖动等内在特性，这些信号还可被转换回来成所需标准，以继续处理信号。