荷兰飞利浦电子公司称，它的研究人员发现了一种新型材料，可将内存整合到非常先进的具有超薄电路的半导体中。这种材料在开和关之间只需很低的电压，这有助于在未来生产具有更薄、更小电路的芯片。新材料可在芯片处于断电的情况下记忆数据，这一点类似于当前用于便携音乐播放器和数码相机的闪存芯片。

　　飞利浦研究机构在声明中称，与现有的内存技术如闪存不同的是，新内存的性能改进体现在每一个部件你都能使它变得更小。到2007或2008年时它可满足对需要在一块芯片上被整合到一个系统的内存的需求。到那时芯片将具有50纳米的电路，比今天的90纳米技术更先进。 　　使用的这种材料是一种被称为锑/碲的具有半导体特性的合金，当电流通过时它会转换相位状态并保持这种状态直到另一股电流通过。这种相变材料已经使用在可重写的CD和DVD产品上。新材料的另一个优势是廉价，并能迅速地在两个相位之间转换。飞利浦说，它的速度是现在闪存的100-200倍，在特定应用上可替代DRAM。使用在个人电脑上的DRAM是另一种内存，但它不能在断电的情况下记忆数据。

　　低生产成本和快速转换次数可制造单内存芯片架构。飞利浦研究机构Scalable Unified Memory项目的主管Karen Attenborough称，置入式内存行业的目标是替代所有其他类型芯片的被称为一元化内存的芯片，使其同时具备SRAM的速度、DRAM内存密度和闪存的非挥发性能。

　 （转自　　eNet ）