双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。

在3mmx3mm MLP模块中集成了经优化的控制(高侧)和同步(低侧)30V N沟道MOSFET，二者均使用的专用先进高性能PowerTrench®7 MOSFET技术，提供出色的低RDS(ON)、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷(QGD)，这些性能最大限度地减少传导和开关损耗，带来更高效率。

FDMC8200高侧RDS(ON)通常为24mOhm，低侧则为9.5mOhm，可提供9A以上电流供主流计算应用，而经优化的引脚输出和占位面积，为布局和路由带来便利，并简化设计。

它是利用PN结电容与反向偏置电压的关系制成的二极管.假如给变容二极管加载正向偏置电压,将有较大电流通过,电容变大,产+扩散电容效应c如加载反向偏置电压,则产生过度电容效应。由于在正向偏置电压时会有漏电流产生,因此变容二极管一般都是工作在反向偏置电压下。

当变容二极管PN结上接有反向偏置电压时,随着反向电压增大,二极管的电容量减少,而反向电压减少,二极管的电容量增大,从而实现利用电压控制电容量的日的。在例22的晶振稳频无线话简的制作电路中,使用了FV1043变容二极管作为FM的信号调制。

FV 1043的检测方法可参考前面的1N4148的检测方法。

FDMC8200通过先进的封装技术和专有PowerTrench 7工艺，节省空间并提升热性能，解决DC-DC应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mmx3mm Power33 MLP封装和PowerTrench 7技术，其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。

这款双MOSFET器件是飞兆半导体广泛的先进MOSFET技术产品系列的一部分，全系列均拥有广阔的击穿电压范围和现代化的封装技术，实现高效的功率管理和低热阻的特点。

同系列其它产品包括集成了FET模块的FDMS9600S 和FDMS9620S器件，同样能够显着减少电路板空间，并提升同步降压设计以达到更高的转换效率。