200V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，它具备超低的导通电阻和极小型化等优势。

200V、25mΩ、80APulsed的耐辐射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76mm2，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。与商用eGaN FET和IC系列相同，采用芯片级封装。 封装器件将由EPC Space提供。

EPC的氮化镓技术在航天应用实现新一代的电源转换和电机驱动，其工作频率更高、效率更高和功率密度更高，这是以前无法实现的。EPC7007将我们的耐辐射产品系列的电压范围扩大至200V。与硅解决方案相比，EPC7007為设计人员提供小很多和成本更低的解决方案。

在机动包线上边界线的A、D点和突风包线上边界线的B′、C′、D′点,载荷系数达到正限制载荷系数,飞机承受的气动升力为正的最大值,所以,这些点代表了飞机结构总体强度的正向严重受载情况;在机动包线下边界线的If、F点和突风包线下边界线的C′、F′、E′点,载荷系数达到负限制载荷系数,飞机承受的气动升力为负的最大值。

所以,这些点代表了飞机结构总体强度的负向严重受载情况;而在机动包线右边界线的D2、D1、E点和突风包线右边界线的D′、E′点,飞机的飞行空速达到最大值。所以,这些点代表了飞机结构局部强度的严重受载情况。

新型齐纳二极管RKZ7.5TKP和RKZ7.5TKL，用以保护便携设备的电路不会受到内部或外部静电放电（ESD）偏离电压的损坏。RKZ7.5TKP的封装大小仅为0.6×0.3mm，居业界最小封装工艺之列，RKZ7.5TKL还提供了更多的封装选择。

在诸如移动电话这样的便携设备中，电源的发展趋势是设计紧凑，外观小巧轻薄，而同时功能更丰富。移动电话所需要的高安装密度，使其对于由内部或外部所产生的静电较为敏感。因此，必须采取有效措施防止由静电放电（ESD）所造成的故障或损坏。

由于紧凑度也是一个至关重要的因素，瑞萨致力于缩小齐纳二极管这个与处理ESD息息相关元件的尺寸，并已经开发和量产了双向齐纳二极管，它可以完成两个传统二极管的工作。最新开发的双向齐纳二极管产品居世界最小封装产品之列，同时却提供了出色的ESD吸收功能。