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全焊构造和低TCR的固体金属镍铬合金电阻材料

发布时间:2022/8/4 13:08:08 访问次数:178

使用指针万用表检测单向晶闸管在电路中的触发能力,将sW2置于oN,sW1置于2端,三极管V导通,发射极(E)电压为8v,单向品闯管scR导通,阳极(A)与电源端电压为3V,LED发光。

保持上述状态,将sw1置于1端,三极管v截止,发射极(E)电压为oV,单向晶闸管sCR仍维持导通,阳极(A)与电源端电压为3V,LED发光。

保持上述状态,将sW2置于oFF,电路断开,LED熄灭。

再将sW2置于0N,电路处于等待状态,又可以重复上述工作状态。这种情况表明,电路中单向品网管工作正常。检测双向晶闸管的触发能力与检测单向晶闸管触发能力的方法基本相同,只是所测晶闸管引脚极性不同。

高温1-W表面贴装Power Metal Strip®电阻,该产品是业界首款可在–65C到+275C温度范围内工作的2010封装尺寸电流感测电阻---WSLT2010…18。WSLT2010…18电阻具有极低的电阻值范围(10-mΩ到500-mΩ)、较低的误差(低至±0.5%)和低TCR值(低至±75 ppm/C)。

WSLT2010…18的耐高温能力和高额定功率(为标准WSL的两倍)使其可用于恶劣、高温环境中的电流感应和脉冲应用,而无须牺牲额定功率或电气性能。

WSLT2010…18采用专有技术制造,具有极低的电阻值。该产品采用全焊构造和低TCR(小于20PPM/oC)的固体金属镍铬合金电阻材料,可提供极低的电感值、极佳的频率响应(高达50MHz )和低热EMF(小于3μV/C)。

检测双向晶闸管的触发能力时需要为其提供触发条件,一般可用万用表检测,既可作为检测仪表,又可利用内电压为晶闸管提供触发条件

双向晶闸管触发能力的检测方法,上述检测方法由万用表内电池产生的电流维持双向晶闸管的导通状态,有些大电流双向品闸管需要较大的电流才能维持导通状态,黑表笔脱离控制极(G)后,双向晶闸管不能维持导通状态是正常的.

在这种情况下需要借助电路进行检测,在路检测双向晶闸管触发能力拥有绝佳的价格与完美的音质,HT8972是最适合于卡拉OK、音响器材、电子乐器、玩具等应用的回音IC。

单片DisplayPort转VGA芯片,有助于推动DisplayPort快速成为下一代显示器的接口标准。



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保持上述状态,将sw1置于1端,三极管v截止,发射极(E)电压为oV,单向晶闸管sCR仍维持导通,阳极(A)与电源端电压为3V,LED发光。

保持上述状态,将sW2置于oFF,电路断开,LED熄灭。

再将sW2置于0N,电路处于等待状态,又可以重复上述工作状态。这种情况表明,电路中单向品网管工作正常。检测双向晶闸管的触发能力与检测单向晶闸管触发能力的方法基本相同,只是所测晶闸管引脚极性不同。

高温1-W表面贴装Power Metal Strip®电阻,该产品是业界首款可在–65C到+275C温度范围内工作的2010封装尺寸电流感测电阻---WSLT2010…18。WSLT2010…18电阻具有极低的电阻值范围(10-mΩ到500-mΩ)、较低的误差(低至±0.5%)和低TCR值(低至±75 ppm/C)。

WSLT2010…18的耐高温能力和高额定功率(为标准WSL的两倍)使其可用于恶劣、高温环境中的电流感应和脉冲应用,而无须牺牲额定功率或电气性能。

WSLT2010…18采用专有技术制造,具有极低的电阻值。该产品采用全焊构造和低TCR(小于20PPM/oC)的固体金属镍铬合金电阻材料,可提供极低的电感值、极佳的频率响应(高达50MHz )和低热EMF(小于3μV/C)。

检测双向晶闸管的触发能力时需要为其提供触发条件,一般可用万用表检测,既可作为检测仪表,又可利用内电压为晶闸管提供触发条件

双向晶闸管触发能力的检测方法,上述检测方法由万用表内电池产生的电流维持双向晶闸管的导通状态,有些大电流双向品闸管需要较大的电流才能维持导通状态,黑表笔脱离控制极(G)后,双向晶闸管不能维持导通状态是正常的.

在这种情况下需要借助电路进行检测,在路检测双向晶闸管触发能力拥有绝佳的价格与完美的音质,HT8972是最适合于卡拉OK、音响器材、电子乐器、玩具等应用的回音IC。

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