STSPIN32F0601系统级封装是驱动三相应用的极度集成解决方案,有助降低PCB面积和整个材料清单.器件嵌入具有ARM®32位Cortex®-M0 CPU的STM32F031x6x7和能够驱动N沟功率MOSFET或IGBT的600V三个半桥栅极驱动器.

smartSD功能的比较器,能够对过负载和过流进行快速和有效的保护.此外在低边和高边驱动部分,还集成了高压自举二极管以及抗交叉导通,死区和UVLO保护,防止功率开关免除工作在低效率或危险条件.

集成的MCU允许进行FOC,6步无传感器和其它先进的驱动算法,包括速度控制回路.高压轨高达600V, dV/dt瞬态免疫度为±50V/ns,栅极驱动电压范围从9V到20V, STSPIN32F0601/Q驱动电流为200/350 mA(源/沉电流).

国产场效应晶体首的命名方式,典型国产场效应晶体管的外形及标识识读方法.

日产场效应晶体管型号标识的识别,日产场效应晶体管的命名方式与国产场效应晶体管不同,,日产场效应晶体管的型号标识信息一般由5个部分构成,包括名称、代号、类型、顺序号、改进类型。

典型日产场效应晶体管的外形及标识识读方法。

结型场效应晶体管(JFET)是在一块N型(或P型)半导体材料两边制作P型(或N型)区形成PN结所构成的,根据导电沟道的不同可分为N沟道和P沟道两种。结型场效应晶体管的外形特点及内部结构。

绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET)简称MOS场效应晶体管,由金属、氧化物、半导体材料制成,因其栅极与其他电极完全绝缘而得名。绝缘栅型场效应晶体管除有n沟道和P沟道之分外,还可分别根据工作方式的不同分为增强型与耗尽型。绝缘栅型场效应晶体管的外形特点及内部结构。

场效应品体管的电路标识，为在实际电路中,场效应晶体管标识信息的识读。