电压驻波比和低电源电压DRC-MF v3数码精密现象技术
发布时间:2022/8/1 7:16:47 访问次数:233
AX508将较低的射频信号放大到所要求的高功率级别,以满足信号在GSM/GPRS手机或数据模块上的传输,该器件支持四频段(GSM850/900/1800/1900)操作。
功率级别是通过一个完全集成的闭环功率控制器来调节的,滿足大规模生产的手机处于现实世界的环境中时,例如大幅度提高的电压驻波比和低电源电压时,仍可确保GSM功率/时间罩和开关频谱得到足够的容限。
42PFL9803H的外观延续了其一贯的风格,超窄边框,超薄机身,玻璃外壳,总体看来时尚而简约。
索尼55X4500除延续了V系列的一系列先进技术外,还加入了索尼最新的两大技术,Motionflow 200Hz四倍速驱动技术和动态丽彩LED背光源系统。使用了BRAVIA ENGINE2 PRO图像处理引擎,包含新的DRC-MF v3数码精密现象技术。
动态丽彩LED背光源系统扩大了色彩还原性和超高对比度。减少漏光,丰富黑色表现力。而索尼Motionflow 200Hz四倍速技术根据原有画面前后两帧,史无前例地在原始画面中插入三帧运算帧,比100Hz倍速处理画面更新速度更提高了一倍,达到四倍速处理。
接口方面,索尼55X4500的配置十分齐全,除了一些日常的接口之外,该机还额外多配了几个HDMI接口,彰显其高端本色。
20Vn通道器件---SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET®功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK®SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
SiR440DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中MOSFET的关键优值(FOM),在4.5V时为87。
与为实现低传导损耗及低切换损耗而优化的最接近的同类竞争器件相比,这些规格表示在4.5V及10V时导通电阻分别降低23%与22.5%,FOM降低27%。更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导损耗及切换损耗。
AX508将较低的射频信号放大到所要求的高功率级别,以满足信号在GSM/GPRS手机或数据模块上的传输,该器件支持四频段(GSM850/900/1800/1900)操作。
功率级别是通过一个完全集成的闭环功率控制器来调节的,滿足大规模生产的手机处于现实世界的环境中时,例如大幅度提高的电压驻波比和低电源电压时,仍可确保GSM功率/时间罩和开关频谱得到足够的容限。
42PFL9803H的外观延续了其一贯的风格,超窄边框,超薄机身,玻璃外壳,总体看来时尚而简约。
索尼55X4500除延续了V系列的一系列先进技术外,还加入了索尼最新的两大技术,Motionflow 200Hz四倍速驱动技术和动态丽彩LED背光源系统。使用了BRAVIA ENGINE2 PRO图像处理引擎,包含新的DRC-MF v3数码精密现象技术。
动态丽彩LED背光源系统扩大了色彩还原性和超高对比度。减少漏光,丰富黑色表现力。而索尼Motionflow 200Hz四倍速技术根据原有画面前后两帧,史无前例地在原始画面中插入三帧运算帧,比100Hz倍速处理画面更新速度更提高了一倍,达到四倍速处理。
接口方面,索尼55X4500的配置十分齐全,除了一些日常的接口之外,该机还额外多配了几个HDMI接口,彰显其高端本色。
20Vn通道器件---SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET®功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK®SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
SiR440DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中MOSFET的关键优值(FOM),在4.5V时为87。
与为实现低传导损耗及低切换损耗而优化的最接近的同类竞争器件相比,这些规格表示在4.5V及10V时导通电阻分别降低23%与22.5%,FOM降低27%。更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导损耗及切换损耗。