AAT1185一款单输出、降压控制器，可提供用于低成本12V适配器的高效功率变换。

通过采用研诺独创的Modular BCD工艺生产，该款新型控制器可通过同时提供高、低侧管脚来驱动多种外部N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），从而实现设计灵活多样性的最大化。

12V适配器应用的多样性，设计师需要更高水平的设计灵活性来优化其特殊系统的解决方案.

通过提供低、高侧管脚驱动各种外部MOSFET，替代将MOSFET直接嵌入到芯片中，AAT1185控制器为设计者提供两种选择，即在负荷端开关上采用肖特基二极管的低成本、异步解决方案，和采用各种功率MOSFET阵列的高效率同步解决方案。

在一条串行总线上，一个单一信号可能包括地址信息、控制信息、数据信息和时钟信息；这种复杂性给设计工程师带来了明显的调试挑战。MSO2000和DPO2000系列在一台入门级示波器中以高度集成的串行数据触发、协议解码和分析功能，将问题迎刃而解。

此外，MSO2000可以在最多4条模拟通道和16条数字通道中实现模拟信号和数字信号时间相关，调试嵌入式系统的混合信号部分。

与串行闪存或串行EEPROM不同，FM25V05以总线速度执行写操作，无写入延迟，且数据能够立即写入存储器阵列，并以最高每秒40Mb的速度连续写入数据。与串行闪存和串行EEPROM比较，FM25V05的耐用性高出几个数量级以上，且功率消耗更低。

FM25V05具有高性能F-RAM功能，适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用，范围从需要写入次数极高的高频数据采集应用，到严苛的工业控制应用。在这些应用中，由于串行闪存或EEPROM器件的写入时间长而出现潜在的数据丢失风险，因此并不适用。