SiC的功率开关本身在功率密度和效率方面具有优势，这对于系统散热和减小器件尺寸都有重要意义。

在SiC环境中，dv/dt将超过10V/ns，这意味着开关800 V直流电压的时间不会超过80ns。同样，di/dt为10A/ns时，意味着在80ns内电流为800A，从中可以观察到di/dt的变化。

事实上，SiC开关的所有固有优势都会被共模噪声干扰，以及被管理不善的功率开关环境中的超快电压和电流瞬变（dv/dt和di/dt）导致的极高和破坏性的电压过冲影响。一般来说，抛开底层技术不谈，SiC开关的功能相对简单，它只是一个3端器件，但必须小心连接至系统。

这是模拟的完整电路，包括高通和低通滤波器，针对上述结果构建和测试：

完整的TIA电路包括一个带通滤波器，有助于降低其对身体运动和快速环境光变化的敏感度。如图所示，电路的响应从48bpm到390bpm为-3dB。

因此，与密度相近的竞品FPGA如Spartan7或者是Max10相比，都具有较大的优势，其中与Max10相比，MachXO5-NX提供高达2.9倍的嵌入式存储器容量，以及高达36倍的专用用户闪存，能轻松应对设计复杂化的趋势。