窄带检测方法精确表征RF防止电流MOSFET体二极管回流
发布时间:2022/7/29 18:48:31 访问次数:49
在限制负载浪涌电流的预充电电路设计中,Vishay / Sfernice的D2TO20SMD功率电阻是一颗很关键的元件,由于独特的物理结构和集成散热片,该厚膜电阻提供了优秀的功率处理和热传导特性。
D2TO20 SMD功率电阻采用TO-263(D2PAK)封装的表面贴装非电感性功率电阻,外形紧凑,具有0.01Ω至550Ω的电阻值范围,在25°C时功率为20W.该产品符合AEC-Q200标准,对汽车应用再合适不过了。
XMC7K24CA XClampR™TVS二极管,Vishay 48V自恢复电子保险丝方案在瞬态电压抑制功能方面,Vishay General Semiconductor的XMC7K24CA XClampR™TVS二极管扮演着重要的角色。
如果不断增加通过RF器件的信号的功率水平,通常会导致更明显的非线性效应。这些效应可以利用另一种类型的散射参数——即大信号S参数来量化。
但是,许多RF器件被设计为使用脉冲信号工作,这些信号具有宽频域响应。这使得利用标准窄带检测方法精确表征RF器件具有挑战性。因此,对于脉冲模式下的器件表征,通常使用所谓的脉冲S参数。这些散射参数是通过特殊的脉冲响应测量技术获得的。
在开关启动的过程中,还经常会遇到一种情况——第一次将电池连接到负载时,由于负载中存在未充电的电容器组,可能会产生高峰浪涌电流。这可能会造成下级元件的损坏,也会影响电池的使用寿命,因此,必须使用预充电电路将浪涌电流限制在一个可接受的水平。
Vishay的SQJA84E MOSFET(TR1)、VSS8D5M6肖特基二极管和D2TO20 SMD功率电阻(R1)将浪涌电流在48V时的最大值限制在5A。
在限制负载浪涌电流的预充电电路设计中,Vishay / Sfernice的D2TO20SMD功率电阻是一颗很关键的元件,由于独特的物理结构和集成散热片,该厚膜电阻提供了优秀的功率处理和热传导特性。
D2TO20 SMD功率电阻采用TO-263(D2PAK)封装的表面贴装非电感性功率电阻,外形紧凑,具有0.01Ω至550Ω的电阻值范围,在25°C时功率为20W.该产品符合AEC-Q200标准,对汽车应用再合适不过了。
XMC7K24CA XClampR™TVS二极管,Vishay 48V自恢复电子保险丝方案在瞬态电压抑制功能方面,Vishay General Semiconductor的XMC7K24CA XClampR™TVS二极管扮演着重要的角色。
如果不断增加通过RF器件的信号的功率水平,通常会导致更明显的非线性效应。这些效应可以利用另一种类型的散射参数——即大信号S参数来量化。
但是,许多RF器件被设计为使用脉冲信号工作,这些信号具有宽频域响应。这使得利用标准窄带检测方法精确表征RF器件具有挑战性。因此,对于脉冲模式下的器件表征,通常使用所谓的脉冲S参数。这些散射参数是通过特殊的脉冲响应测量技术获得的。
在开关启动的过程中,还经常会遇到一种情况——第一次将电池连接到负载时,由于负载中存在未充电的电容器组,可能会产生高峰浪涌电流。这可能会造成下级元件的损坏,也会影响电池的使用寿命,因此,必须使用预充电电路将浪涌电流限制在一个可接受的水平。
Vishay的SQJA84E MOSFET(TR1)、VSS8D5M6肖特基二极管和D2TO20 SMD功率电阻(R1)将浪涌电流在48V时的最大值限制在5A。