S参数量化了RF能量是如何通过系统传播的，因而包含有关其基本特征的信息。使用S参数可以将最复杂的RF器件表示为简单的N端口网络。一个双端口未平衡网络的例子，该网络可用于表示许多标准RF元件，例如RF放大器、滤波器或衰减器等。

波量a是入射在器件端口1和端口2上的电压波的复数幅度。如果使用相应的波量a1或a2依次激励一个端口，同时另一个端口端接到匹配的负载中，我们就可以根据波量b来定义器件的正向和反向响应。

这些数量代表了从网络端口反射和通过网络端口透射的电压波。基于所得复数响应和初始激励量的比率，我们可以定义双端口器件的S参数.将S参数组成一个散射矩阵(S-Matrix)来反映其所有端口的复数波量之间的关系,由此表示该网络的内在响应.对于双端口未平衡网络，激励-响应关系的形式,对于任意N端口RF器件,可以类似方式定义S矩阵。

SQJQ160E是Vishay/Siliconix开发的汽车用N沟道MOSFET，其采用TrenchFET®️Gen IV技术，具有极低的漏极-源极导通电阻（VGS=10V时仅为0.00085Ω），因此可以有效降低导通损耗和整体功耗。

PowerPAK®️8 x 8L封装，SQJQ160E具有出色的热性能，工作结温和存储温度为-55°C至+175°C。该产品符合AEC-Q101标准，并且满足无卤、无铅、RoHS指令等环保要求，可以说是高功率密度汽车应用的理想之选。

每个开关需要10个Vishay SQJQ160E汽车用N沟道MOSFET并联连接，使得通路阻抗最小化，以降低功耗。在200A工作条件下，可将总功耗限制在10W以内。

为了防止短路情况下对负载造成损害，该设计使用了四颗并联的300μΩ分流电阻\连续测量负载电流。

总之，这是一款各方面考虑非常周全、功能完备、性能出众的电子保险丝参考设计，可以作为传统机械继电器的替代方案，满足48V车载电源系统的设计要求。