超稳定控制技术“Nano Cap™”的新型车载LDO稳压器系列，支持低至100nF（纳法：10的负九次方）的输出电容量，不到普通产品1/10，而且，在输入电压和负载电流*2波动的情况下，也能实现应用产品所要求的稳定工作（输出电压波动100mV以内：负载电流波动1mA⇔50mA/1μ秒时）。

新产品支持超宽范围的输出电容量，不仅适用于普通的数μF的小型MLCC（多层陶瓷电容器）和大容量的电解电容器，也适用于以往实际应用中很难稳定工作的1μF以下的0603尺寸超小型MLCC，因此，不仅有助于元器件和电路板的小型化，还可以在更广泛的电容器条件下使用，有助于减少设计工时。

PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。

新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。

除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外，Nexperia还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS=4.5V时的最大RDS(on)为16mΩ，在0.96mm×0.96mm×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具备市场领先的效率。

GTX系列的额定电压为500VAC（50/60Hz）、500VDC（对于c-UL则是250VAC、353.3VDC）。这些滤波器可在-25℃至+55℃的温度范围内工作。此外，由于采用纳米晶金属芯制作，其额定电流为30A至60A。GTX已通过UL、c-UL、TüV安全认证，并符合RoHS和REACH标准。这些滤波器符合欧盟RoHS指令2011/65/EU和(EU)2015/863。该系列具有出色的衰减特性，可满足设计工程师抑制电子设备噪声的需求，因此适用于机床、工业机器人、风力发电、电力存储系统、医疗设备和诊断仪器等应用。

许多与GTX系列相媲美的解决方案都使用铁氧体材料制作，因此占位面积更大，重量更重。该系列则可通过体积效率高、结构紧凑、重量轻的EMI-RFI三相滤波器来支持行业提高EMC要求的趋势。