CMOS工艺、单芯片、同时支持2G/3G网络的射频发射器件。该芯片是已被市场广泛验证的射频发射器件SMARTi UE的低成本后续产品。通过遵循DigRF v3.09基带芯片通讯接口，该器件在软件和硬件上都达到了先后兼容性。

通过减少外接低噪声放大器（LNAs）和采用无接受滤波器的带内射频前端等技术创新，SMARTi UEmicro成为广大超低端3G手机的首选射频器件。SMARTi UEmicro以其无比优异的射频性能，在支持双波段或四波段GSM/EDGE和最多三个WCDMA波段时，达到了系统成本最优化。

日产三极管型号标识的识别,美产三极管型号标识的识别,为美产三极管型号的识别。

三极管有三个电极,分别是基极b、集电极c和发射极c。二极管的引脚排列位置根据品种、型号及功能的不同而不同,识别三极管的引脚极性在测试、安装、调试等各个应用场合都十分重要。

在LTE射频领域持续保持着技术创新领导者的地位。同时，致力于通过不断减少外围元器件数量和系统成本的降低，以充分满足广大人民群众对超低端3G手机的需求。而这次推出的SMARTiUEmicro正是顺应这一方向开发出的产品，必将为新兴市场全面铺开3G商用化网络提供强有力的支持。

s-1(s-1A、s-1B)型都有半圆形底面,识别时,将引脚朝下,切口面朝自己,此时三极管的引脚从左向右依次为e、b、c。

s-2型为顶面有切角的块状外形,识别时,将引脚朝下,切角朝向自己,此时三极管的引脚从左向右依次为e、b、c。

s一4型引脚识别较特殊,识别时,将引脚朝上,圆面朝向自己,此时三极管的引脚从左向右依次为e、b、c。

s-5型三极管的中间有一个三角形孔,识别时,将引脚朝下,印有型号的一面朝自己,此时从左向右依次为b、c、e。

s-6A型、s-6B型、s-7型、s-8型一般都有散热面,识别时,将引脚朝下,印有型号的一面朝自已,此时从左向右依次为b、c、e。