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LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率

发布时间:2022/7/25 23:17:55 访问次数:496

SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel.7和Rel.8规范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射频发射器件.这颗芯片在支持四波段GSM/EDGE的同时,还可以同时支持六个3G和LTE波段。

在该芯片丰富的功能列表中,包括LTE FDD class 5(下行速率最大可达150兆比特每秒,上行速率最大可达50兆比特每秒)、MIMO Rx diversity(两个下行 + 一个上行)、HSPA+、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE。

芯片如此广泛的射频波段支持能力,使其能够极好地与全球HSPA/LTE网络无缝配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4标准的数字基带芯片接口,为手机系统设计“全数字化”树立了一个新的里程碑,使得基带芯片设计向进一步集成化、向32nm或更精密半导体技术前进提供了保障。

第二代用于LTE(Long-Term-Evolution)设备的射频发射器件SMARTi LU已可以向客户提供样片。SMARTi LU作为一颗采用65nm技术CMOS工艺的单芯片射频发射器件,能够全面满足2G/3G/LTE各项射频功能,其配置的DigRF数字接口能够与基带芯片直接连接,以充分达到LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率。

与此同时,3G射频发射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新产品:SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro为超低端3G终端进行了专门的产品优化,采用该器件后,双波段WCAMA/EDGE终端设备的电子射频器件成本可以降低到6.50美元之下。这与目前市场上现有方案相比,成本上有超过40%的下降。

标识为“3AD50C”。其中,“8”表示三极管;“A”表示该管为锗材料、PNP型;“D”表示该管为低频大功率管; “50”表示序号; “C”表示规格。因此,该三极管为低频大功率PNP型钴三极管。

根据型号标识查阅引脚功能识别三极管引脚的方法,确定三极管的型号后,在有互联网的计算机中搜索三极管型号的相关信息,可找到很多该型号三极管的产品说明资料(PDF文件),从这些资料中便可找到相应的三极管引脚极性示意图及备种参数信息。

根据电路板上标注信息或电路图形符号识别三极管引脚的方法,为根据一般规律识别塑料封装三极管引脚的方法。


SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel.7和Rel.8规范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射频发射器件.这颗芯片在支持四波段GSM/EDGE的同时,还可以同时支持六个3G和LTE波段。

在该芯片丰富的功能列表中,包括LTE FDD class 5(下行速率最大可达150兆比特每秒,上行速率最大可达50兆比特每秒)、MIMO Rx diversity(两个下行 + 一个上行)、HSPA+、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE。

芯片如此广泛的射频波段支持能力,使其能够极好地与全球HSPA/LTE网络无缝配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4标准的数字基带芯片接口,为手机系统设计“全数字化”树立了一个新的里程碑,使得基带芯片设计向进一步集成化、向32nm或更精密半导体技术前进提供了保障。

第二代用于LTE(Long-Term-Evolution)设备的射频发射器件SMARTi LU已可以向客户提供样片。SMARTi LU作为一颗采用65nm技术CMOS工艺的单芯片射频发射器件,能够全面满足2G/3G/LTE各项射频功能,其配置的DigRF数字接口能够与基带芯片直接连接,以充分达到LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率。

与此同时,3G射频发射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新产品:SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro为超低端3G终端进行了专门的产品优化,采用该器件后,双波段WCAMA/EDGE终端设备的电子射频器件成本可以降低到6.50美元之下。这与目前市场上现有方案相比,成本上有超过40%的下降。

标识为“3AD50C”。其中,“8”表示三极管;“A”表示该管为锗材料、PNP型;“D”表示该管为低频大功率管; “50”表示序号; “C”表示规格。因此,该三极管为低频大功率PNP型钴三极管。

根据型号标识查阅引脚功能识别三极管引脚的方法,确定三极管的型号后,在有互联网的计算机中搜索三极管型号的相关信息,可找到很多该型号三极管的产品说明资料(PDF文件),从这些资料中便可找到相应的三极管引脚极性示意图及备种参数信息。

根据电路板上标注信息或电路图形符号识别三极管引脚的方法,为根据一般规律识别塑料封装三极管引脚的方法。


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