在单芯片上集成两个完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。这种架构对外形尺寸和功耗进行了优化，使制造商能够支持计算和嵌入式系统中的无线多媒体应用，同时满足消费者在微型化、电池寿命和低成本方面越来越严苛的要求。

两个2.4GHz完全匹配功放的RF前端解决方案。它还在3mmx3mm的微型封装中整合了谐波滤波器、输入输出匹配电路，并为每一个发射链路配备了一个功率检测器。此外，相比MIMO解决方案的两个不匹配PA，这种高集成度还能够降低80%的外部材料清单，节省约0.25美元的材料清单成本。

入门级计算市场包括針對企业和学生的台式电脑替代产品，是规模最大、增长速度最快的计算市场领域。通过SE2566U，我们提供了一种无与伦比的解决方案，不但具有最高的功能集成度，同时满足这一领域对小尺寸、更长电池寿命及价格竞争力的需求。

当电源电压较低时,双向蚀发二极臂里高阻状恋丽截止,万用表指针指示OmA。

当电源袖出电压为80V时,双向触发二极督被击穿,万用表的指针突然摆动,此时即为击穿电压(转折电压),将该结果与技术规格中的值对照。者对照结果符合技术要求,列说明双向触发二极臀正常。

将双向触发二极管接入电路中,通过检测电路的电压值可判断双向触发二极管有无开路清况,双向触发二极管开路状态的检测判别方法.

二极管的引脚极性可以根据二极管上的标识信息识别,对于一些没有明显标识信息的二极管,可以使用万用表的欧姆挡进行简单的检测判别.

当便携式电子设备变得越来越小时，元件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积，Vishay的SiB800EDK比采用2mm×2mm封装的器件小36%，同时具有0.75mm的超薄厚度。Vishay此番将两个元件整合到一个封装中不仅节省了空间，而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压，从而降低了电平位移应用中的压降。

SiB800EDK具有0.960Ω（1.5V VGS 时）～0.225Ω（4.5V VGS 时）的低导通电阻范围。1.5V时的低导通电阻额定值可使MOSFET与低电平时的信号一同使用。