额定工作电压下的直流电压与通过电容的漏电电流的比值
发布时间:2022/7/21 20:04:47 访问次数:223
Au1100处理器高度集成了片上SDRAM、SRAM/flash EEPROM内存控制器、LCD控制器、10/100以太网控制器、USB主控与设备,UARTs,以及高达48个通用输入输出口(GPIO)(其中13个是专用的)。
集成的外设具有高性能、和MIPS兼容的内核,将能够提供更低的系统成本、更小的尺寸、更低的功耗、更简单的多项功能设计、以及更短的设计周期。
功率管理IC系列能提供低功率和低噪音,从而延长下一代手提,通信设备和计算机系统中电池寿命。
五种线性功率器件分成两大系列。对于需要最大限度电池寿命的,先进模拟技术公司低压降(LDO)线性调整器,其静态电流为1.1-uA,保证150mA输出电流时其压降为200mV。毫微瓦功率(NanoPower)LDO品种有AAT3221, AAT3222和AAT3220三种。

关于电容器的漏电电阻:
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体,电阻不是无限大,而是一个有限的数值,一般很精确,如584kΩ、652kΩ。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻,也叫漏电电阻,大小是额定工作电压下的直流电压与通过电容的漏电电流的比值。
涓电电阻越小,漏电越严重。电容涓电会引起能量损耗,这种损耗不仅影响电容的寿命,而且会影响电路的工作。因此,电容器的漏电电阻越大越好。
可变电容器是指电容量在一定范围内可调节的电容器。一般由相互绝缘的两组极片组成。其中,固定不动的一组极片称为定片,可动的一组极片称为动片。通过改变极片间的相对有效面积或片间距离使电容量相应地变化。可变电容器主要用在无线电接收电路中选择信号(调谐)。
同步的补偿 DC/DC转换器,使设计者能够更快地进行点负载应用电源的开发。
这种转换器内设峰值可达12A 的 MOSFET,在工作温度范围内和3.0到3.6V输入下,能够提供大于9A的连续输出电流。
这种转换器具有一个集成的同步整流器和一个导通电阻15m欧姆 的功率MOSFET,使转换器效率能够达到95%以上。
为了解决开关噪声敏感问题,开关频率是两个预设值中的一个,或者调整到280~700Hz之间的任意值。除了TPS4910,其它SWIFT系列的DC/DC转换器,其固定或可调输出电压的总精度可达2%。
Au1100处理器高度集成了片上SDRAM、SRAM/flash EEPROM内存控制器、LCD控制器、10/100以太网控制器、USB主控与设备,UARTs,以及高达48个通用输入输出口(GPIO)(其中13个是专用的)。
集成的外设具有高性能、和MIPS兼容的内核,将能够提供更低的系统成本、更小的尺寸、更低的功耗、更简单的多项功能设计、以及更短的设计周期。
功率管理IC系列能提供低功率和低噪音,从而延长下一代手提,通信设备和计算机系统中电池寿命。
五种线性功率器件分成两大系列。对于需要最大限度电池寿命的,先进模拟技术公司低压降(LDO)线性调整器,其静态电流为1.1-uA,保证150mA输出电流时其压降为200mV。毫微瓦功率(NanoPower)LDO品种有AAT3221, AAT3222和AAT3220三种。

关于电容器的漏电电阻:
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体,电阻不是无限大,而是一个有限的数值,一般很精确,如584kΩ、652kΩ。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻,也叫漏电电阻,大小是额定工作电压下的直流电压与通过电容的漏电电流的比值。
涓电电阻越小,漏电越严重。电容涓电会引起能量损耗,这种损耗不仅影响电容的寿命,而且会影响电路的工作。因此,电容器的漏电电阻越大越好。
可变电容器是指电容量在一定范围内可调节的电容器。一般由相互绝缘的两组极片组成。其中,固定不动的一组极片称为定片,可动的一组极片称为动片。通过改变极片间的相对有效面积或片间距离使电容量相应地变化。可变电容器主要用在无线电接收电路中选择信号(调谐)。
同步的补偿 DC/DC转换器,使设计者能够更快地进行点负载应用电源的开发。
这种转换器内设峰值可达12A 的 MOSFET,在工作温度范围内和3.0到3.6V输入下,能够提供大于9A的连续输出电流。
这种转换器具有一个集成的同步整流器和一个导通电阻15m欧姆 的功率MOSFET,使转换器效率能够达到95%以上。
为了解决开关噪声敏感问题,开关频率是两个预设值中的一个,或者调整到280~700Hz之间的任意值。除了TPS4910,其它SWIFT系列的DC/DC转换器,其固定或可调输出电压的总精度可达2%。