四频带M/GPRS单电源功率放大器(PA)模块采用了高阻抗集成的功率放大器(HIIPA)封装和增强型GaAs芯片生产工艺来制造。

MMM5062 PA模块采用HIIPA封装方法来提供50-欧姆解决方案而不用增加外接元件。50-欧姆匹配网络阻抗是在芯片输出端用电容和电感来实现，所用的电容是集成在芯片上，而电感则用不同长度的导线键合而成。

电容数值的误差，导线键合工序的精度能允许匹配阻抗数值低于设计误差，也比在传统无线板上用无源元件得到的误差要小。HIIPA宽带匹配方法能提供适应GSM/GPRS应用的灵活PA解决方案，适用于欧洲的三频带GSM/GPRS，美国双频或三频带GSM/GPRS的解决方案。

电路总电流为

1=E/R=2/2=1A

由欧姆定律可知,Rl两端的电压为ul=RI1=1×1=lV。

直流电和交流电,直流电(Dircct Currcnt,简称DC)是指电流方向不随时间作周期性变化,由正极流向负极,但电流的大小可能会变化。直流电叮以分为脉动直流和恒定直流两种,脉动直流中电流大小不稳定,而恒定直流中的电流大小是恒定不变的。

MMM5062四频带E-模式和HIIPA模块是要用在2.5G手机。先进的单电源工艺能提供成本效率的性能，从而改善了低电压功放应用中崎岖不平的途径。

HIIPA和E-模式工艺结合起来是要用来改善MMM5062的特性。这种模块支持GSM850/900，DCS1800和PCS1900的四频带应用。它也为10类 GPRS工作而设计。高增益三级放大器是为GSM和DCS/PCS而设计。在全四频带应用中，低端824到915MHz的典型性能是输出功率35.2dBm,输出功率-1dBm时附加功率效率(PAE)为53%。

高端(1710到1910MHz)的典型性能是输出功率33.8dBm，输入功率2dBm的附加功率效率为44%。典型的频带隔离即高端输出测量到低端的二次谐波电平，在最大功率时为-28dBm.