1M位磁阻随机存储器(MRAM)通用存储芯片。

1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题，如计算机和手机的上电慢，数据遗失，装载数据长时间等待，电池寿命短等。MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器，即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。

一个晶体管(1T)和一个磁隧道结(MTJ)组成的1M位MRAM，其读写周期小于50ns。64K位X16位存储器的设计是根据0.6umCMOS工艺，在200mm衬底用铜互连来制造。在铜互连导线上的磁性材料覆层结构能减少写入程序所需功率四倍。

40或48引脚QVSOP封装的器件，定货量为1K时单价为0.95美元起。全系列产品包括有：FSTU32X384, FSTU16862, FST33X257和FST32X245。FSTU16862也有TSSOP封装的。

UHC感知任一端I/O数据口的负尖峰电平低到-2V。它也能防止开关导通时电压的差异，以保持绝缘。所有这四种器件都工作在5V电压。

122x32像素LCD模块 MTG-S12232CFYHSGY，目标应用手提设备。

点阵大小为0.345x0.345mm，间隔为0.375x0.375mm，LCD模块也适用需要紧凑LCD的地方，外层尺寸为59x29.3x5.5mm, 视角面积52x15mm.

无源滤波器的组成部分是只用一些无源元件(R、L、C)组成的滤波器,其特点是结构简单,易于设计;其缺点是不适用与设计要求过高的场合。

有源滤波器的组成部分是用无源元件和有源元件组合成的滤波器,特点是负载不影响滤波特性。

LC滤波器中最重要的两个参数为截止频率F与Q值,Q值代表损耗/输人功率,称为品质因数,Q值越高代表损耗越大。在一般低功率的滤波器上,Q值可以忽略不计,但是在较大功率的滤波器中,Q值不可忽略,Q值越大会导致电损越大,并且会引起发热现象。