单片1G位AND闪存，其写入速度达到每秒10M字节。

根据其专有的辅助栅AND型(AG-AND)多层单元的闪存技术，HN29V1G91存储器芯片能在大约13秒内记录128M字节的数据，相当于两小时CD质量的MP3音乐。它也适用于高档数码相机，以产生高分辨率的图像大文件和提供活动图像。

AG-AND闪存单元采用新颖的辅助栅区绝缘方法，以得到比传统浅槽绝缘(SGI)方法的更高的密度。这使得1G位的器件比用0.18微米工艺所生产的512M位的要小。

闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程，以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率，进行低电流快速并行写入。

主电路的各支路的编号,需在水平画图时由左到右或者垂直画图时由上到下,每当经过一个电器元件的接线端子后,编号需要依次增加。例如U21、Ⅴ21、W21,〔J31、Ⅴ31、W31……等顺序标号。

按照相序依次编号将单台三相异步电动机的三根引出线编为U、V、W,关于多台电动机引出线进行编号,为防范混杂,能于字母前加数字进行区分,如1U、1Ⅴ、1W,2U、2Ⅴ、2W等。

成本效率的低功耗SONET OC-192收发器，用作短距离光转发器。

新的TI解决方案为单个器件提供四个2.5Gbps OC-48通道，使通信设备制造商能构成10Gbps OC-192转发器，作为OC-192串行解决方案的一部分成本。

可提供基于SLK2504和Alvesta Corporation公司3100光收发器的SONET转发器参考设计和评估模型(EVM)。采用工业标准300引脚MSA形式，参考设计/EVM能使生产者很快开发出OC-192VSR转发器。现在可提供SLK2504收发器的样品，为289引脚的BGA封装。