NSi66x1A内部集成弥勒钳位采用UL-94V0材料加以制造

发布时间:2022/7/19 17:48:48 访问次数:66

NSi66x1A和NSi6601M双双发布，均适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具车规（满足AEC-Q100标准）和工规两种等级，广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。

高环境温度（可长期运行在环境-40℃～+85℃工作条件下）、PWM调光、远程开/关等功能，该产品功率密度高、符合ROSH指令、产品采用UL-94V0材料加以制造、可靠性高（MTBF>2000000小时）。

节省了Buffer电路的费用和PCB的体积，同时还不需要额外的电路做匹配，增加了系统的稳定性。此外，NSi66x1A内部集成弥勒钳位，支持分离输出，使用简单，外围器件更少，凸显性价比。

并联电路:

总电流等于各处电流之和:I=I1+I2。

各处电压相等:U=U1=U2。

总电阻等于各电阻之积除以各电阻之和:1/R-1/R1+1R2[R=R1R7(R1+R2)]。

I1/I2=R2/R1(分流公式)。

P1/P2=R2/R1。

总电功等于各电功之和:

W=W1+W2。

I1:12=R2:R1。

w1:・Wˉ2-11:12-R2:R1。

结构光或主动立体视觉等3D传感技术需要近红外图像传感器，以实现眼动和手势追踪、物体检测、深度测绘等功能。Mira220将推动2D或3D传感在增强现实和虚拟现实产品、无人机、机器人和自动驾驶汽车等工业应用以及在智能门锁等消费设备中的应用。

Mira220具有高量子效率，使设备制造商能够降低2D和3D传感系统中与图像传感器一起使用的近红外照明器的输出功率，从而降低总功耗。

Mira220功耗极低，睡眠模式下仅为4mW，待机模式下为40mW，在全分辨率和90fps下功耗为350mW。因此，可穿戴设备和便携式设备制造商能够指定使用较小的电池来节省空间，或延长充电后的使用时间。