为了解电源域和电源的增长情况，我们需要追溯ADC的历史脉络。早期ADC采样速度很慢，大约在数十MHz内，而数字内容很少，几乎不存在。电路的数字部分主要涉及如何将数据传输到数字接收逻辑——专用集成电路 (ASIC) 或现场可编程门阵列 (FPGA)。用于制造这些电路的工艺节点几何尺寸较大，约在180 nm或更大。

使用单电压轨(1.8V )和两个不同的域（AVDD和DVDD，分别用于模拟域和数字域），便可获得足够好的性能。

随着硅处理技术的改进，晶体管的几何尺寸不断减小，意味着每mm2面积上可以容纳更多的晶体管（即特征）。但是，人们仍然希望ADC实现与其前一代器件相同（或更好）的性能。

从总线引脚上实现高达±15 kV的静电放电(ESD)保护. ADN4693E-1遵循M-LVDS的TIA/EIA-899标准设计,为TIA/EIA-644 LVDS器件添加了额外的多点能力.

ADN4693E-1采用具有25mV迟滞的1类接收器,因此缓慢变化的信号或输入损耗不至于引起输出振荡.全双工器件采用紧凑的4 mm x 4mm LFCSP封装. 

ADN4693E-1的额定温度范围为-40⁰C至+120⁰C结温范围. 空气放电：≥±15 kV HBM,接触放电：≥±8 kV HBM,空气放电：≥±10 kV IEC 61000-4-2,接触放电：≥±8 kV IEC 61000-4-2

通过AEC-Q101认证，可用于汽车、智能家居、工业和办公设备的新型反射式光传感器--- VCNT2025X01。

日前发布的器件结构紧凑，发射光源和探测器位于同一个平面上。传感器光电晶体管产生的模拟输出信号，取决于IR LED发射的传感器探测物体反射光量。

传感器探测距离为0.3mm至4.5mm，发射器波长940nm，典型输出电流为6.6mA，测试条件下典型电流传输比为33%，比上一代解决方案高24%，比接近的竞品传感器高23%。器件潮湿敏感度等级（MSL）为3级，可采用符合J-STD-020的回流焊。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。