SiZ700DT中低边沟道的MOSFET具有类似的导通电阻，在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70度温度下的最大电流分别为17.3A和13.9A。

高边沟道的MOSFET在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为8.6mΩ和10.8mΩ，在+25度和+70度温度下的最大电流分别为13.1A和10.5A。在一些更低电流和更低电压的应用中，甚至可以用PowerPAIR器件替换两个SO-8封装的MOSFET，至少能够节省三分之二的空间。

由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接上了，电路板的布局会更加简单，PCB走线的寄生电感也减小了，提高了系统效率。此外，SiZ700DT在引脚排列上了优化，这样在一个典型的降压转换器上，输入引脚被安排在一侧，输出引脚是在另外一侧，进一步简化了电路板布局。

Si2170采用标准CMOS工艺设计，其高度集成的特性能减少100多个分立器件的需求，其中包括追踪滤波功能，还能避免成本不低的人工电感调整/校正，进而大幅降低制造成本。

Si2170电视调谐器不仅能实现更简单的设计，还能降低物料清单和制造成本；高集成度还能提升可靠性及印制电路板(PCB)的生产正品率，减少退货。随着电视制造商不断设计更轻薄的产品，Si2170能实现超小电路板面积，也有助于打造下一代超薄平面显示电视。

通过采用一个内置控制序列器可确保有效降低上电爆破音，并通过缩短软件驱动开发时间来加快上市时间。欧胜在WM8961上集成了其创新的SilentSwitch技术，通过集成精密的钳位电路和时序电路，进一步提升抑制上电爆破音的能力。

通过钳位输出到地面，抑制了在上电和静音及取消静音的过程中耳机放大器输出的不理想的噪音。同时WM8961内置的高级自动电平控制器可对录音质量进行优化。