PowerMOSFET NP系列新品NP28N10SDE和NP36N10SDE。两器件的击穿电压为100V，补充了低电压PowerMOSFET产品，用于汽车应用中。

NP28N10SDE和NP36N10SDE的额定电压为100 V，开关电流分别高达28 A和36 A。两器件采用NEC电子公司的UMOS-2技术，具有RDS(开)值：41mΩ (NP28N10SDE) 和27 mΩ (NP36N10SDE)，以及低栅极电荷和输入电容值。两个器件均具有逻辑电平栅极驱动，采用受欢迎的TO-252 (DPAK) SMD封装。

该器件与所有NP系列产品一样，获得AEC-Q101认证，沟道温度高达175 °C，由于镀锡引线而完全符合RoHS标准。

集成的硅调谐器取代传统的分立式调谐器，希望能由此降低成本、减少复杂度并符合各种标准，同时改善客户产品的外型尺寸。在此之前，硅调谐器仍无法完全实现这些目标，因此数字电视仍使用传统的分立式调谐器，以求达到实际上最佳的接收性能。

在此同时，为了支持混合的模拟和数字广播接收，并符合各地区的广播标准和系统需求，系统的复杂度和这些解决方案的成本正不断增加。

为了超越传统分立式电视调谐器的性能，Si2170硅调谐器集成了高线性射频(RF)前端设计，其结合独特、内置的低噪声放大器(LNA)和高Q (high-Q)追踪滤波器，提供仅在预期通道频率附近的增益。

其结果是，电容上的小变化可以得到更好的检测、进行结果分析,并且决定触摸是否发生。容性传感器系列是基于有三级调整步骤的专用寄存器的解决方案，无需闪存存储器的预编程。

该传感器由CAP1014、CAP1088、CAP1066、CAP1028、CAP1026、CAP1006和CAP1005组成，共同为设计者提供各种滑动装置、按钮、临近效应和LED驱动器功能。