16GB RDIMM双列直插模块50纳米级工艺制造高密度DDR3
发布时间:2022/7/4 8:15:48 访问次数:349
4Gb DDR3可制成用于服务器的16GB RDIMM双列直插模块,以及用于工作站和台式机的8GB UDIMM,用于笔记本电脑的8GB小型DIMM。通过采用双晶片封装技术,这中新器件可提供高达32GB的容量的存储器模块——比基于以前最高芯片密度(2Gb)存储器的容量高出一倍。
4Gb DDR3 DRAM设计为低功耗,工作电压为1.35V,比1.5V的DDR3提高了20%的吞吐量。最高速度为1.6GB/秒。
16GB模块配置中,4Gb DDR3的能耗要比2Gb DDR3模块的低40%,这是因为其具有更高的密度,且仅使用了一半数量的DRAM芯片(32与64之比)。
由于转为采用50纳米级工艺制造高密度DDR3,三星力求维护其在高容量/高效能DRAN产品上领导地位。
系统简图手册(System Schematic Manual,SSM)是波音手册,手册展示了飞机机载系统的配置、功能、电子、电气部件工作原理、机械部件工作原理、组件位置,可用于飞机的排故及日常维护人员的培训。
飞机简图手册(Aircraft Schematic Mamual,ASM)是空客手册,手册以系统方块图、系统简图、系统简化简图的形式展示了电子、电气部件的工作原理、系统配置、功能、电路操作、逻辑关系,可用于飞机电子、电气系统的排故及日常维护人员的培训。
执行高空作业时若发现意外,马上停止一切作业,立即上报。
发动机安全区域,发动机在地面试车和启动时的危险区域有:进气道危险区、排气危险区和噪声危险区。
进气道危险区会将人或地面污染物吸人发动机内;排气具有高速、高温和气体污染的特点,此危险区会对人和设备造成危害;噪声危险区内长时间停留会对人的听力造成损害,所以应带上护耳装备。
4Gb DDR3可制成用于服务器的16GB RDIMM双列直插模块,以及用于工作站和台式机的8GB UDIMM,用于笔记本电脑的8GB小型DIMM。通过采用双晶片封装技术,这中新器件可提供高达32GB的容量的存储器模块——比基于以前最高芯片密度(2Gb)存储器的容量高出一倍。
4Gb DDR3 DRAM设计为低功耗,工作电压为1.35V,比1.5V的DDR3提高了20%的吞吐量。最高速度为1.6GB/秒。
16GB模块配置中,4Gb DDR3的能耗要比2Gb DDR3模块的低40%,这是因为其具有更高的密度,且仅使用了一半数量的DRAM芯片(32与64之比)。
由于转为采用50纳米级工艺制造高密度DDR3,三星力求维护其在高容量/高效能DRAN产品上领导地位。
系统简图手册(System Schematic Manual,SSM)是波音手册,手册展示了飞机机载系统的配置、功能、电子、电气部件工作原理、机械部件工作原理、组件位置,可用于飞机的排故及日常维护人员的培训。
飞机简图手册(Aircraft Schematic Mamual,ASM)是空客手册,手册以系统方块图、系统简图、系统简化简图的形式展示了电子、电气部件的工作原理、系统配置、功能、电路操作、逻辑关系,可用于飞机电子、电气系统的排故及日常维护人员的培训。
执行高空作业时若发现意外,马上停止一切作业,立即上报。
发动机安全区域,发动机在地面试车和启动时的危险区域有:进气道危险区、排气危险区和噪声危险区。
进气道危险区会将人或地面污染物吸人发动机内;排气具有高速、高温和气体污染的特点,此危险区会对人和设备造成危害;噪声危险区内长时间停留会对人的听力造成损害,所以应带上护耳装备。