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4字节突发读写操作总线速度高于其他非易失性存储器

发布时间:2022/6/28 21:36:44 访问次数:223

RDS(ON)仅为0.13Ω(N沟道低端FET)和0.15Ω(P沟道高端FET)的内部开关,提供高达95%的效率。它还运用低压差100%占空比工作,以允许输出电压等于VIN,从而进一步延长电池工作时间。LTC3565以自动低纹波(<25mVPK-PK)突发模式(Burst Mode)工作,提供仅为40uA的无负载静态电流。

如果是噪声敏感的应用,那么可以不使用突发模式,而采用更低噪声的脉冲跳跃模式,这仍然能提供仅为330uA的静态电流。LTC3565在整个频率范围内都可以同步至外部时钟。其它特点包括±2%的输出电压准确度和过热保护。

除了电气火灾、静电、雷电、电磁等安全隐患外,电工的T∶作环境中还容易出现各类突发事件。

因此,电T在进行作业时,尽量避免离开下作人员的视线,同时悬挂标示牌或者装设遮拦以做到提示的作用,如悬挂“禁止合闸”的标示牌,表示电工作业中,禁止对电气设备合闸接通电流i电气设备一般不能受潮,如果必须要在潮湿或下雨的天气下进行作业,电工需对电气设备进行防雨水和防潮措施而电气设各工作时会发热,也容易产生工作环境中的安全隐患,需要有良好的通风散热的条件。

为排除下作环境中的安全隐患,所有电气设备的金属外壳应有可靠的保护接地措施,避免电工在工作环境中触电事故的发生。


4M FRAM是标准异步SRAM的直接取代品,但性能远超过SRAM,无需电池即可备份数据,由于其整体结构可靠性更高。FM22LD16是真正的表面贴装解决方案,无需返工步骤来贴附电池,且与带备用电池的SRAM不同,FM22LD16为高度防潮、抗振动和震动器件。

FM22LD16具有与目前高效能微处理器连接的方便接口,具有高速页模式,可在40MHz频率下实现4字节突发读写操作,总线速度明显高于其他非易失性存储器。

FM22LD16与相同密度的非易失性存储器相比,工作电流较低,读写操作时工作电流为8毫安,待机电流为90微安。FM22LD16工作电压为2.7至3.6V,可在-40°C至+85°C的工业温度范围工作。


RDS(ON)仅为0.13Ω(N沟道低端FET)和0.15Ω(P沟道高端FET)的内部开关,提供高达95%的效率。它还运用低压差100%占空比工作,以允许输出电压等于VIN,从而进一步延长电池工作时间。LTC3565以自动低纹波(<25mVPK-PK)突发模式(Burst Mode)工作,提供仅为40uA的无负载静态电流。

如果是噪声敏感的应用,那么可以不使用突发模式,而采用更低噪声的脉冲跳跃模式,这仍然能提供仅为330uA的静态电流。LTC3565在整个频率范围内都可以同步至外部时钟。其它特点包括±2%的输出电压准确度和过热保护。

除了电气火灾、静电、雷电、电磁等安全隐患外,电工的T∶作环境中还容易出现各类突发事件。

因此,电T在进行作业时,尽量避免离开下作人员的视线,同时悬挂标示牌或者装设遮拦以做到提示的作用,如悬挂“禁止合闸”的标示牌,表示电工作业中,禁止对电气设备合闸接通电流i电气设备一般不能受潮,如果必须要在潮湿或下雨的天气下进行作业,电工需对电气设备进行防雨水和防潮措施而电气设各工作时会发热,也容易产生工作环境中的安全隐患,需要有良好的通风散热的条件。

为排除下作环境中的安全隐患,所有电气设备的金属外壳应有可靠的保护接地措施,避免电工在工作环境中触电事故的发生。


4M FRAM是标准异步SRAM的直接取代品,但性能远超过SRAM,无需电池即可备份数据,由于其整体结构可靠性更高。FM22LD16是真正的表面贴装解决方案,无需返工步骤来贴附电池,且与带备用电池的SRAM不同,FM22LD16为高度防潮、抗振动和震动器件。

FM22LD16具有与目前高效能微处理器连接的方便接口,具有高速页模式,可在40MHz频率下实现4字节突发读写操作,总线速度明显高于其他非易失性存储器。

FM22LD16与相同密度的非易失性存储器相比,工作电流较低,读写操作时工作电流为8毫安,待机电流为90微安。FM22LD16工作电压为2.7至3.6V,可在-40°C至+85°C的工业温度范围工作。


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