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1.2GHz到1.4GHz频率带来达500W的突破性的RF输出功率

发布时间:2022/6/27 20:24:08 访问次数:88

NUS6189新器件,将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0mmx4.0mmx0.9mm封装之中。

这器件的过压关闭时间短于1.0微秒,在故障发生时会极快地断开输入电源与负载之间的连接,因此它比现有关闭较慢的解决方案能提供更优异的保护性能。

L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体晶体管,该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。针对大范围的L波段雷达应用,LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐用度。

FlexRay收发器产品根据FlexRay电气物理层规范V2.1 Rev B而设计,并提供增强性能。有助于优化受限的FlexRay系统参数,从而为下一代车载网络提供最高的可靠性。

凭借其无可比拟的抗扰特性及在提高FlexRay网络稳定性上的突出表现,AS8221已在FlexRay用户中享有盛誉。

TSH122可应用于移动视频设备,包括数码相机、照相手机和个人媒体播放器。新器件可工作效1.7mA的低电流,与同类器件相比吸收最低的待机电流,典型值仅仅4nA,最大500nA。

TSH122通过包含6阶重构滤波器用于DAC采样模糊衰减,节约了成本和电路板空间。

内部增益设置电阻进一步降低了器件数与电路板。还可以在输出实现SAG校准,允许使用较小的耦合电容。器件在紧凑的2.2x2.4mm SC70-6(SOT323-6)封装内实现了高级别集成度,最大化了PCB空间,使设计人员可以实现更多特性或降低最终产品的尺寸。



NUS6189新器件,将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0mmx4.0mmx0.9mm封装之中。

这器件的过压关闭时间短于1.0微秒,在故障发生时会极快地断开输入电源与负载之间的连接,因此它比现有关闭较慢的解决方案能提供更优异的保护性能。

L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体晶体管,该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。针对大范围的L波段雷达应用,LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐用度。

FlexRay收发器产品根据FlexRay电气物理层规范V2.1 Rev B而设计,并提供增强性能。有助于优化受限的FlexRay系统参数,从而为下一代车载网络提供最高的可靠性。

凭借其无可比拟的抗扰特性及在提高FlexRay网络稳定性上的突出表现,AS8221已在FlexRay用户中享有盛誉。

TSH122可应用于移动视频设备,包括数码相机、照相手机和个人媒体播放器。新器件可工作效1.7mA的低电流,与同类器件相比吸收最低的待机电流,典型值仅仅4nA,最大500nA。

TSH122通过包含6阶重构滤波器用于DAC采样模糊衰减,节约了成本和电路板空间。

内部增益设置电阻进一步降低了器件数与电路板。还可以在输出实现SAG校准,允许使用较小的耦合电容。器件在紧凑的2.2x2.4mm SC70-6(SOT323-6)封装内实现了高级别集成度,最大化了PCB空间,使设计人员可以实现更多特性或降低最终产品的尺寸。



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