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半桥配置N沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管

发布时间:2022/6/24 8:38:56 访问次数:238

以当电流流经人体内部时,会产生高热现象。这种高热现象会对人体内部组织造成破坏,并对呼吸、心脏和神经系统造成损伤,影响人体器官的正常丁作,严重者导致死亡c我们生活中有很多被电击伤害的例子.

电击闪电、家用电线、插座或某些带电负载等,都可能引起电击事故。

而根据人体电阻大小和触电持续时问的长短,会造成不同程度的电击损伤,严重程度为轻度烧它们都具有每纳秒(V/ns)50V的dV/dt抗扰度,并兼容于3.3V和5V输入逻辑。这些器件使用启动电路(bootstrap)技术来确保驱动高端功率开关,并提供强固的设计。

静止变流器(逆变器)采用电力电子技术,将直流电逆变为交流电。这种变流器没有运动部件,转换效率高,维护工作量小,在现代飞机上得到了广泛应用。

静止变流器主要用于:在直流电为主电源飞机上提供交流电源,即用作二次电源;在交流电为主电源的飞机上将电瓶的直流电变成交流电,提供应急交流电源;在变频交流电为主电源的飞机上提供恒频交流电源。

单相静止变流器,逆变器主电路主要有两种形式:一种是推挽式,另一种是桥为了减小功率管的损耗,必须让功率管王作在开关状态。

ON Semiconductor扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列,推出四款新器件:NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用,适用于终端产品包括白家电、照明电子镇流器和马达控制等工业应用。

这些新的高压、高端和低端驱动器工作在-40℃至125℃的宽规定工作温度范围,并能工作在高达600伏(V)的输入电压,减轻了设计时间和精力。

NCP5104、NCP5106B、NCP5111和NCP5304是高压功率门驱动器,提供两路输出,用于直接驱动采用半桥配置的两个N沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管(IGBT)。NCP5106A能够用于其它任何高端加低端配置。


以当电流流经人体内部时,会产生高热现象。这种高热现象会对人体内部组织造成破坏,并对呼吸、心脏和神经系统造成损伤,影响人体器官的正常丁作,严重者导致死亡c我们生活中有很多被电击伤害的例子.

电击闪电、家用电线、插座或某些带电负载等,都可能引起电击事故。

而根据人体电阻大小和触电持续时问的长短,会造成不同程度的电击损伤,严重程度为轻度烧它们都具有每纳秒(V/ns)50V的dV/dt抗扰度,并兼容于3.3V和5V输入逻辑。这些器件使用启动电路(bootstrap)技术来确保驱动高端功率开关,并提供强固的设计。

静止变流器(逆变器)采用电力电子技术,将直流电逆变为交流电。这种变流器没有运动部件,转换效率高,维护工作量小,在现代飞机上得到了广泛应用。

静止变流器主要用于:在直流电为主电源飞机上提供交流电源,即用作二次电源;在交流电为主电源的飞机上将电瓶的直流电变成交流电,提供应急交流电源;在变频交流电为主电源的飞机上提供恒频交流电源。

单相静止变流器,逆变器主电路主要有两种形式:一种是推挽式,另一种是桥为了减小功率管的损耗,必须让功率管王作在开关状态。

ON Semiconductor扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列,推出四款新器件:NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用,适用于终端产品包括白家电、照明电子镇流器和马达控制等工业应用。

这些新的高压、高端和低端驱动器工作在-40℃至125℃的宽规定工作温度范围,并能工作在高达600伏(V)的输入电压,减轻了设计时间和精力。

NCP5104、NCP5106B、NCP5111和NCP5304是高压功率门驱动器,提供两路输出,用于直接驱动采用半桥配置的两个N沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管(IGBT)。NCP5106A能够用于其它任何高端加低端配置。


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