SRAM为基础的竞争解决方案的动态功耗较其高出60%
发布时间:2022/6/22 21:10:37 访问次数:66
当A2“+”端电压(即R5上的电压)大于A2的“-”端电压时,A2输出高电位,信号送到发电机控制继电器GCR和断路器GCB控制电路上,关断发电机励磁电路,使发电机灭磁;同时断开发电机接触器,停止向负载供电。
延时特性分析,为分析过压保护电路中的延时时间与过压值之间的关系,必须知道乙1与发电机输出电压有效值之间的关系。设三相交流电对称,其相电压有效值为σ。
三相交流电经半波整流、滤波和分压后得到采样电压u1,则购和发电机输出电压σ成比例关系。当σ=130V时,调整可变电阻R9,使得・1=6.4Ⅴ;当σ)130Ⅴ时,仍1>6.4V,电路经延时发出保护信号。
在利用同级100万门FPGA的典型高速设计中,ProASIC3L器件的动态功耗只有100mA,静态功耗仅为1mW,而以SRAM为基础的竞争解决方案的动态功耗较其高出60%,静态功耗更是其100倍。
ProASIC3L系列以Actel成功的ProASIC3架构为基础,包含A3P250L、A3P600L、A3P1000L和 A3PE3000L,门电路数从25万到300万个。这些器件备有商用和工业用两种温度等级,带有嵌入式SRAM存储器、大量I/O、锁相环(PLL)以及非易失性存储器。
由此可以看出,电压、电流与电功率之间是成正比的。电功率叉分为用电器在额定电压下工作的额定功率和在实际电压下工作的实际功率3用电器在额定电压下工作的功率叫作额定功率,在实际电压下工作的功率叫作实际功率。
当A2“+”端电压(即R5上的电压)大于A2的“-”端电压时,A2输出高电位,信号送到发电机控制继电器GCR和断路器GCB控制电路上,关断发电机励磁电路,使发电机灭磁;同时断开发电机接触器,停止向负载供电。
延时特性分析,为分析过压保护电路中的延时时间与过压值之间的关系,必须知道乙1与发电机输出电压有效值之间的关系。设三相交流电对称,其相电压有效值为σ。
三相交流电经半波整流、滤波和分压后得到采样电压u1,则购和发电机输出电压σ成比例关系。当σ=130V时,调整可变电阻R9,使得・1=6.4Ⅴ;当σ)130Ⅴ时,仍1>6.4V,电路经延时发出保护信号。
在利用同级100万门FPGA的典型高速设计中,ProASIC3L器件的动态功耗只有100mA,静态功耗仅为1mW,而以SRAM为基础的竞争解决方案的动态功耗较其高出60%,静态功耗更是其100倍。
ProASIC3L系列以Actel成功的ProASIC3架构为基础,包含A3P250L、A3P600L、A3P1000L和 A3PE3000L,门电路数从25万到300万个。这些器件备有商用和工业用两种温度等级,带有嵌入式SRAM存储器、大量I/O、锁相环(PLL)以及非易失性存储器。
由此可以看出,电压、电流与电功率之间是成正比的。电功率叉分为用电器在额定电压下工作的额定功率和在实际电压下工作的实际功率3用电器在额定电压下工作的功率叫作额定功率,在实际电压下工作的功率叫作实际功率。