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优化了PCI-Express总线利用率使新器件快速并无缝过渡

发布时间:2022/6/20 22:46:52 访问次数:114

MCP1790及MCP1791(MCP179X)高压线性稳压器(LDO).新器件可连续输出70毫安电流,在高达30V的连续输入电压下工作,同时还具备高达43.5V的甩负载保护功能,是切合汽车及工业应用所需的理想LDO。

其静态电流和关断电流很低,陶瓷电容也极具稳定性,有助于用户以更低的成本实现体积更小、效率更高的设计。

凭借这些特点,再配合陶瓷输出电容的稳定性及低至70微安的静态电流,便能实现体积更小巧紧凑、功耗更低且更可靠的设计。

QE8具备一系列的先进特征,包括:

原生8通路PCI-Express 2.0 Gen-II 5Gbit/s总线;

多个DMA通道,可利用系统高速缓存作为镜像,最大程度降低CPU资源开销;

硬件辅助虚拟化用帧导向功能;

支持多CPU,可提高处理器的扩容性,并可以在单一光纤通道端口内实现特殊帧处理;

通过ADIF(先进数据完整性域)实现对T-10标准保护信息的支持,确保I/O数据通路中的充分完整性;

采用状态机(State Machine)体系架构,实现最低延迟、最高性能及最低功率要求:每通道功耗仅约2W;

可实现行业标准的N_PortID虚拟化;

PMC-Sierra的先进8Gbit/s SERDES特色,可用于增强调试和排故能力,降低系统达标耗时;

采用多项出色的PCI-Express请求技术,优化了PCI-Express总线的利用率,特别适用于内存延迟时间较长的系统。

Flash ROM范围在64到256KB,RAM范围为6到12 KB,具有64-、80-、100-管脚封装,并且与NEC前一代V850ES/Fx2管脚兼容,可以使新器件快速并无缝的过渡。

AD8260的-3dB带宽为200MHz,增益范围30dB,以3dB增益步长进行数字调节,为各种电缆系统损耗提供所需的余量。这款新的VGA具有2.4nV/√Hz输入电压噪声,内置驱动器增益为1.5,非常适合将DAC (数模转换器)差分输出信号转变为电压,用以直接驱动低阻抗。

在10MHz时,AD8260的2Vpp完全可驱动10负载。此外,该芯片功耗仅为93mW,比竞争产品低一半。



MCP1790及MCP1791(MCP179X)高压线性稳压器(LDO).新器件可连续输出70毫安电流,在高达30V的连续输入电压下工作,同时还具备高达43.5V的甩负载保护功能,是切合汽车及工业应用所需的理想LDO。

其静态电流和关断电流很低,陶瓷电容也极具稳定性,有助于用户以更低的成本实现体积更小、效率更高的设计。

凭借这些特点,再配合陶瓷输出电容的稳定性及低至70微安的静态电流,便能实现体积更小巧紧凑、功耗更低且更可靠的设计。

QE8具备一系列的先进特征,包括:

原生8通路PCI-Express 2.0 Gen-II 5Gbit/s总线;

多个DMA通道,可利用系统高速缓存作为镜像,最大程度降低CPU资源开销;

硬件辅助虚拟化用帧导向功能;

支持多CPU,可提高处理器的扩容性,并可以在单一光纤通道端口内实现特殊帧处理;

通过ADIF(先进数据完整性域)实现对T-10标准保护信息的支持,确保I/O数据通路中的充分完整性;

采用状态机(State Machine)体系架构,实现最低延迟、最高性能及最低功率要求:每通道功耗仅约2W;

可实现行业标准的N_PortID虚拟化;

PMC-Sierra的先进8Gbit/s SERDES特色,可用于增强调试和排故能力,降低系统达标耗时;

采用多项出色的PCI-Express请求技术,优化了PCI-Express总线的利用率,特别适用于内存延迟时间较长的系统。

Flash ROM范围在64到256KB,RAM范围为6到12 KB,具有64-、80-、100-管脚封装,并且与NEC前一代V850ES/Fx2管脚兼容,可以使新器件快速并无缝的过渡。

AD8260的-3dB带宽为200MHz,增益范围30dB,以3dB增益步长进行数字调节,为各种电缆系统损耗提供所需的余量。这款新的VGA具有2.4nV/√Hz输入电压噪声,内置驱动器增益为1.5,非常适合将DAC (数模转换器)差分输出信号转变为电压,用以直接驱动低阻抗。

在10MHz时,AD8260的2Vpp完全可驱动10负载。此外,该芯片功耗仅为93mW,比竞争产品低一半。



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