4mΩ检测电阻在10A时再度下降40mV。可能需要消耗更多的铜，特别是在SNS节点，以降低LTC4381的升温。DC2713A-D SNS节点使用2.5cm2 2盎司铜，这些铜均匀分布在板的两个外层上.

当ON引脚不与地相接后,电路启动一个220μF负载电容,适用于48V和60V电源。假设60V为48V电源工作范围的上限。假设启动期间没有额外的负载电流的情况下，220μF是这个10A电流能够安全充电的最大负载电容。

当220μF电容按照12.5A电流限值充电至60V时，涌入时间为220μF×60V/12.5A=1.06ms。LTC4381 MOSFET的安全工作区域(SOA),显示在12.5A和30V下它可以正常运行1ms。之所以使用30V，是因为它是平均输入-输出差分电压，开始时为60V，之后降至0V。

离散存储芯片和带嵌入式FRAM存储器的芯片。由于对FRAM存储器的需求量不断增长，富士通决定将存储容量翻倍，开发并生产了MV85R2001和MB85R2002。

与电池供电的静态随机存取存储器（SRAM）相比，FRAM无需使用电池，简化了生产工艺，免除了使用FRAM时电池更换和产品维护的难题。与富士通的所有其它FRAM产品类似，MB85R2001和MB85R2002减少了材料的浪费，有利于环境保护。

新型2Mbit FRAM产品具有与当前生产的1Mbit FRAM产品（MB85R1001和MB85R1002）相同的电气特性和TSOP-48数据包。只需附加连接一个地址，即可移植到2Mbit产品上。因此，在同一个印刷电路板上，根据所需的存储容量，我们可以选择使用1Mbit或2Mbit的FRAM。

产品的最大优势在于功耗由以往的1.7mW/MIPS降低至0.9mW/MIPS，该功耗值不仅约为NEC电子以往同类产品的一半，而且还不到普通16位微控制器的平均1MIPS的功耗值/的一半。

在微控制器内部，为了能以最佳状态处理电气信号，数字部分仅处理数字信号，模拟部分则负责数字信号和模拟信号的转化，这两部分有很大的差别。