内部MOSFET在TMR电压达到1.215V关闭及高速SPI接口
发布时间:2022/6/14 13:28:35 访问次数:287
+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。
FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中,使变速度箱能够连续适应不断变化的驾驶者行为和路面状况。
F-RAM的No Delay™(无延迟)写入、几乎无限次的读写以及高速的SPI接口,为其带来独特的优势,能够在这及其它先进汽车应用中以最大的总线速度可靠地写入数据。
在输出过载或短路期间,当RSNS压降超过50mV电流限值阈值时,TMR引脚电容电压开始从0V上升,内部MOSFET在TMR电压达到1.215V时关闭。4mΩ RSNS将典型过流阈值设置为12.5A(50mV/4mΩ),最小阈值设置为11.25A (45mV/4mΩ),为10A负载电流提供足够余量。
MB85R2001的配置是256K字x8位;MB85R2002的配置是128K字x16位。这两种类型的读访问周期均为100纳秒(ns),读/写周期为150ns,操作电压为3-3.6V。
当飞机刹车时,产生的摩擦热能将由作动筒体传导到刹车系统的油液中,导致油温过高,油液变质。为防止这种情况发生,在作动筒顶部加装石棉隔热块阻止热量的传导。
间隙自动调整器刹车间隙大小直接影响刹车性能:间隙过大,刹车不灵敏,即刹车反应迟钝;间隙过小,松刹车不灵,严重时可导致刹车动盘,静盘咬合,防滞系统失效,损坏刹车装置。
刹车间隙自动调整器可随刹车盘磨损量的增大自动调节刹车间隙,常见的间隙自动调整器有调节管式和摩擦式两大类,为调节管式间隙调整器的具体构造。
+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。
FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中,使变速度箱能够连续适应不断变化的驾驶者行为和路面状况。
F-RAM的No Delay™(无延迟)写入、几乎无限次的读写以及高速的SPI接口,为其带来独特的优势,能够在这及其它先进汽车应用中以最大的总线速度可靠地写入数据。
在输出过载或短路期间,当RSNS压降超过50mV电流限值阈值时,TMR引脚电容电压开始从0V上升,内部MOSFET在TMR电压达到1.215V时关闭。4mΩ RSNS将典型过流阈值设置为12.5A(50mV/4mΩ),最小阈值设置为11.25A (45mV/4mΩ),为10A负载电流提供足够余量。
MB85R2001的配置是256K字x8位;MB85R2002的配置是128K字x16位。这两种类型的读访问周期均为100纳秒(ns),读/写周期为150ns,操作电压为3-3.6V。
当飞机刹车时,产生的摩擦热能将由作动筒体传导到刹车系统的油液中,导致油温过高,油液变质。为防止这种情况发生,在作动筒顶部加装石棉隔热块阻止热量的传导。
间隙自动调整器刹车间隙大小直接影响刹车性能:间隙过大,刹车不灵敏,即刹车反应迟钝;间隙过小,松刹车不灵,严重时可导致刹车动盘,静盘咬合,防滞系统失效,损坏刹车装置。
刹车间隙自动调整器可随刹车盘磨损量的增大自动调节刹车间隙,常见的间隙自动调整器有调节管式和摩擦式两大类,为调节管式间隙调整器的具体构造。