片上集成LCD驱动可调整的电池电压精度在+-0.6%
发布时间:2022/5/31 12:03:31 访问次数:146
基于ARM cortex M0内核的FM33LE0系列MCU产品家族。该系列是FM33LC0系列的成本友好版本，在保证硬件兼容FM33LC0系列的基础上，片上存储资源和外设资源进行了更加精准的规划，并且优化部分功能，使其与客户端的需求契合度更高，从而为客户端的产品研发提供了更多的可能性。
该系列MCU是基于ARM Cortex-M0内核的32位低功耗MCU芯片，最高主频为64MHz，提供最大128KB FLASH程序存储空间，搭配16KB RAM；片上集成LCD驱动、带温补的RTC、SAR-ADC、AES加密，以及丰富的通用外设接口；支持多种封装形式，包括：LQFP64/LQFP48/QFN32/TSSOP24.
电池充电IC主要为笔记本电脑，快速充电器以及诸如PDA这样的手提设备而设计。ADP3806三种产品的可调整的电池电压精度在+-0.6%。
ADP3806-12.6为12.6或or16.8 V，ADP3806-12.5为12.525或16.7V。可调整的IC产品是用来充一/两个单元的锂离子电池的。当电池达到最终电压，ADP3806会从恒流模式转到恒压模式。
缝内密封是指在构件的贴合面间用密封材料填满所有缝隙,实现密封,根据不同情况,可采用不同的密封材料。缝外密封是指在有油压一侧沿零构仵贴合面的边缘、紧固件的四周和结构间隙等覆盖密封胶,实现结构的密封。
干涉配合铆接指铆接后铆钉弯矩,在采用铆钉连接密封的部位,通常采用干涉配合铆接。
基于ARM cortex M0内核的FM33LE0系列MCU产品家族。该系列是FM33LC0系列的成本友好版本，在保证硬件兼容FM33LC0系列的基础上，片上存储资源和外设资源进行了更加精准的规划，并且优化部分功能，使其与客户端的需求契合度更高，从而为客户端的产品研发提供了更多的可能性。
该系列MCU是基于ARM Cortex-M0内核的32位低功耗MCU芯片，最高主频为64MHz，提供最大128KB FLASH程序存储空间，搭配16KB RAM；片上集成LCD驱动、带温补的RTC、SAR-ADC、AES加密，以及丰富的通用外设接口；支持多种封装形式，包括：LQFP64/LQFP48/QFN32/TSSOP24.
电池充电IC主要为笔记本电脑，快速充电器以及诸如PDA这样的手提设备而设计。ADP3806三种产品的可调整的电池电压精度在+-0.6%。
ADP3806-12.6为12.6或or16.8 V，ADP3806-12.5为12.525或16.7V。可调整的IC产品是用来充一/两个单元的锂离子电池的。当电池达到最终电压，ADP3806会从恒流模式转到恒压模式。
缝内密封是指在构件的贴合面间用密封材料填满所有缝隙,实现密封,根据不同情况,可采用不同的密封材料。缝外密封是指在有油压一侧沿零构仵贴合面的边缘、紧固件的四周和结构间隙等覆盖密封胶,实现结构的密封。
干涉配合铆接指铆接后铆钉弯矩,在采用铆钉连接密封的部位,通常采用干涉配合铆接。
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