二极管的档位测试二极管压降自动化部署和风险预测
发布时间:2022/5/28 19:30:48 访问次数:273
高k金属栅极(HKMG)工艺的DDR5内存模块,HKMG工艺被三星GDDR6内存采用,现在已扩展到DDR5内存,一款新的24 Gb DDR5芯片,该芯片采用采用EUV工艺的尖端D1a纳米技术开发。
损伤容限设计方法是对传统设计方法的补充和发展。它避免由于构件存在初始缺陷或出现裂纹被漏检而引起的飞行安全事故,同时又对结构件上的裂纹扩展进行研究,科学地制定出对飞机结构进行检修的周期。所以,与传统的安全寿命设计相比,它是一种比较安全、合理和经济的方法。
DC/DC变流器IC可能在整个产品系统并不起眼,但它们对产品的稳定可靠工作至关重要。
在系统上正确地实现变流器IC的功能,在实际应用中依然因为种种原因导致IC不正常工作问题,例如启动异常,输出电压不稳定,纹波过大甚至IC损坏等等。
大部分时候,引起IC异常工作的原因并不复杂,简单的调试可以快速地定位并解决问题,几点针对升压变流器的调试经验。
因为电路需要,IC内部在GND pin脚与其他pin脚之间有一个二极管。使用万用表测试二极管的档位测试这些二极管压降,可以间接排查IC的虚焊问题。二极管压降一般在0.5V~0.7V之间。

耐久性设计飞机结构的耐久性是指飞机结构在规定的经济寿命期间内,抵抗疲劳开裂、腐蚀、热退化、剥离、磨损和外来物偶然损伤作用的一种固有能力。
SNA Center可以实时感知网络状态,基于用户意图或网络状态分析可以实现业务自动化部署和风险预测,让网络更加智能,能够更加简洁、智慧、高效的为业务服务。
此时结构必须进行修理(称为经济修理),否则继续扩展下去将会造成结构功能损伤或维修费用剧增影响到飞机的备用性。
高k金属栅极(HKMG)工艺的DDR5内存模块,HKMG工艺被三星GDDR6内存采用,现在已扩展到DDR5内存,一款新的24 Gb DDR5芯片,该芯片采用采用EUV工艺的尖端D1a纳米技术开发。
损伤容限设计方法是对传统设计方法的补充和发展。它避免由于构件存在初始缺陷或出现裂纹被漏检而引起的飞行安全事故,同时又对结构件上的裂纹扩展进行研究,科学地制定出对飞机结构进行检修的周期。所以,与传统的安全寿命设计相比,它是一种比较安全、合理和经济的方法。
DC/DC变流器IC可能在整个产品系统并不起眼,但它们对产品的稳定可靠工作至关重要。
在系统上正确地实现变流器IC的功能,在实际应用中依然因为种种原因导致IC不正常工作问题,例如启动异常,输出电压不稳定,纹波过大甚至IC损坏等等。
大部分时候,引起IC异常工作的原因并不复杂,简单的调试可以快速地定位并解决问题,几点针对升压变流器的调试经验。
因为电路需要,IC内部在GND pin脚与其他pin脚之间有一个二极管。使用万用表测试二极管的档位测试这些二极管压降,可以间接排查IC的虚焊问题。二极管压降一般在0.5V~0.7V之间。

耐久性设计飞机结构的耐久性是指飞机结构在规定的经济寿命期间内,抵抗疲劳开裂、腐蚀、热退化、剥离、磨损和外来物偶然损伤作用的一种固有能力。
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此时结构必须进行修理(称为经济修理),否则继续扩展下去将会造成结构功能损伤或维修费用剧增影响到飞机的备用性。