可编角频率的DC阻隔高通滤波器高频率铁氧体磁珠
发布时间:2022/5/27 17:55:11 访问次数:184
0.18微米的CMOS射频工艺设计套件(process-design kit)。Cadence 和中芯国际将共同合作推出射频电路的培训课程,并向射频设计者们提供射频工艺设计套件 (process-design kit) 的适用性咨询。
与Cadence在射频设计上的合作将帮助我们的国内客户设计与推出高质量的射频器件,全定制的Cadence射频电路设计技术与射频设计方案与CMOS射频制程工艺设计套件将是高质量和高生产力的组合,并帮助我们客户的设计得以成功。
0.13微米和90纳米CMOS射频制程的射频电路的解决方案。
一个新的低EMI异步升压和SEPIC转换器系列。单芯片IC和控制器IC结构简单、成本低,采用多种拓扑,具有大功率功能和低辐射,因此非常实用。当超低辐射成为首要的要求时,也可以使用高电流Silent Switcher升压转换器。
零数字输入的自动降功耗特性,短路保护和杂音抑制器,用户可选择的超低EMI发送模式,加电复位(POR), 1.8V PVDD电源,1.2V到1.8V IOVDD电源,采用11凸0.984mm×1.444mm, 0.35mm间距WLCSP封装.
主要用在无线耳机,有源噪音抑制耳机,智能手机耳机扬声器,助听器和手持电子设备.
0.18微米的CMOS射频工艺设计套件(process-design kit)。Cadence 和中芯国际将共同合作推出射频电路的培训课程,并向射频设计者们提供射频工艺设计套件 (process-design kit) 的适用性咨询。
与Cadence在射频设计上的合作将帮助我们的国内客户设计与推出高质量的射频器件,全定制的Cadence射频电路设计技术与射频设计方案与CMOS射频制程工艺设计套件将是高质量和高生产力的组合,并帮助我们客户的设计得以成功。
0.13微米和90纳米CMOS射频制程的射频电路的解决方案。
一个新的低EMI异步升压和SEPIC转换器系列。单芯片IC和控制器IC结构简单、成本低,采用多种拓扑,具有大功率功能和低辐射,因此非常实用。当超低辐射成为首要的要求时,也可以使用高电流Silent Switcher升压转换器。
零数字输入的自动降功耗特性,短路保护和杂音抑制器,用户可选择的超低EMI发送模式,加电复位(POR), 1.8V PVDD电源,1.2V到1.8V IOVDD电源,采用11凸0.984mm×1.444mm, 0.35mm间距WLCSP封装.
主要用在无线耳机,有源噪音抑制耳机,智能手机耳机扬声器,助听器和手持电子设备.