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电力输送移到晶圆硅基解决方案的直接替代品

发布时间:2022/5/26 18:50:49 访问次数:138

碳化硅技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本,因此市场需求不断攀升。SiC解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品,它们并非完全相同。

SiC技术的使用量正在急剧上升。随着供应商的不断增加,产品的选择范围也日益丰富。

碳化硅的应用范围正在从混合动力汽车和电动汽车(H/EV)的车载应用扩展到火车、重型车辆、工业设备和电动汽车充电基础设施中的非汽车动力和电机控制系统。航空航天和国防领域的供应商也在不断提升SiC的质量和可靠性,以满足这些行业对产品稳固性的严格要求。

用屏障材料将N和P通道更紧密地连接在一起,这将是一种将栅极扩展到超过1纳米制程的选择,把N和P通道放在一起,以进一步扩大规模,而我们已经开发了这些架构的第一个版本。

使用钨或钼的新材料2埃米(A2)制程结构制造出相当于几个原子长度的栅极。

PCIe技术近期在速度和延迟方面取得的突破让其在存储器架构中也获得了广泛应用(例如通过PCIe/CXL插槽连接的持久内存和DRAM)。

人工智能/机器学习(ML)应用的变革以及企业工作负载加速迁移至云端的趋势,持续推动数据流量前所未有的增长。为了应对未来对数据带宽的需求,PCI-SIG发布了PCIe 6.0,将数据传输速率翻倍至64GT/s。


一个有趣的选择是将电力输送移到晶圆的背面,为前端的互联留下了更多的设计灵活性。

隔离和非隔离的设计,这种先进的反激控制器能达到高达90%的满负载效率,在负载范围内有平坦的效率和非常低的无负载损耗. 

InnoSwitch3-TN可以用作精确的5V单输出电源,具有两个正轨或正与负的轨.器件集成了725V初级MOSFET,初级和次级反激控制器,采用专用的FluxLink通信通路.额定安全的FluxLink通信保证可靠同步整流和精确的输出CV和CC.综合的安全特性包括输出过流保护和超温保护.



碳化硅技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本,因此市场需求不断攀升。SiC解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品,它们并非完全相同。

SiC技术的使用量正在急剧上升。随着供应商的不断增加,产品的选择范围也日益丰富。

碳化硅的应用范围正在从混合动力汽车和电动汽车(H/EV)的车载应用扩展到火车、重型车辆、工业设备和电动汽车充电基础设施中的非汽车动力和电机控制系统。航空航天和国防领域的供应商也在不断提升SiC的质量和可靠性,以满足这些行业对产品稳固性的严格要求。

用屏障材料将N和P通道更紧密地连接在一起,这将是一种将栅极扩展到超过1纳米制程的选择,把N和P通道放在一起,以进一步扩大规模,而我们已经开发了这些架构的第一个版本。

使用钨或钼的新材料2埃米(A2)制程结构制造出相当于几个原子长度的栅极。

PCIe技术近期在速度和延迟方面取得的突破让其在存储器架构中也获得了广泛应用(例如通过PCIe/CXL插槽连接的持久内存和DRAM)。

人工智能/机器学习(ML)应用的变革以及企业工作负载加速迁移至云端的趋势,持续推动数据流量前所未有的增长。为了应对未来对数据带宽的需求,PCI-SIG发布了PCIe 6.0,将数据传输速率翻倍至64GT/s。


一个有趣的选择是将电力输送移到晶圆的背面,为前端的互联留下了更多的设计灵活性。

隔离和非隔离的设计,这种先进的反激控制器能达到高达90%的满负载效率,在负载范围内有平坦的效率和非常低的无负载损耗. 

InnoSwitch3-TN可以用作精确的5V单输出电源,具有两个正轨或正与负的轨.器件集成了725V初级MOSFET,初级和次级反激控制器,采用专用的FluxLink通信通路.额定安全的FluxLink通信保证可靠同步整流和精确的输出CV和CC.综合的安全特性包括输出过流保护和超温保护.



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